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HFW7N80 데이터시트 PDF ( Data sheet )이 부품은 800V N-Channel MOSFET의 기능을 가지고 있습니다. |
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| 번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 |
| 1 | HFW7N80 SemiHow | 800V N-Channel MOSFET HFW7N80_HFI7N80
Dec 2015
HFW7N80 , HFI7N80
800V N-Channel MOSFET
BVDSS = 800 V RDS(on) typ ID = 7.0 A
FEATURES
Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate |  |
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국내 전자부품 판매점 |
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디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ |
관련 검색 목록
| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| HFW10N60 | N-Channel MOSFET HFW10N60
Sep 2009
HFW10N60
600V N-Channel MOSFET
BVDSS = 600 V RDS(on) typ = 0.64 Ω ID = 9.5 A
FEATURES
Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 44 |
SemiHow |
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| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| HFW10N60S | N-Channel MOSFET HFW10N60S
May 2010
HFW10N60S
600V N-Channel MOSFET
BVDSS = 600 V RDS(on) typ ID = 9.5 A
FEATURES
Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 29 nC |
SemiHow |
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| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| HFW10N60U | N-Channel MOSFET HFW10N60U_HFI10N60U
HFW10N60U , HFI10N60U
600V N-Channel MOSFET
FEATURES
Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 29 nC (Typ.) Extended Safe Operating |
SemiHow |
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