HGT1S14N36G3VLS 데이터시트 PDF ( Data sheet )

이 부품은 14A/ 360V N-Channel/ Logic Level/ Voltage Clamping IGBTs의 기능을 가지고 있습니다.

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번호	부품번호	상세설명 및 전자부품 기능	제조사
1	HGT1S14N36G3VLS Fairchild Semiconductor	14A/ 360V N-Channel/ Logic Level/ Voltage Clamping IGBTs HGTP14N36G3VL, HGT1S14N36G3VL, HGT1S14N36G3VLS December 2001 14A, 360V N-Channel, Logic Level, Voltage Clamping IGBTs Packages JEDEC TO-220AB EMITTER COLLECTOR GATE COLLECTOR (FLANGE) Features Logic Level Gate Drive Internal Voltage Clamp ESD Gate Protection TJ = 175 C Ignition Energy Capable
2	HGT1S14N36G3VLS Intersil Corporation	14A/ 360V N-Channel/ Logic Level/ Voltage Clamping IGBTs HGTP14N36G3VL, HGT1S14N36G3VL, HGT1S14N36G3VLS June 1995 14A, 360V N-Channel, Logic Level, Voltage Clamping IGBTs Packages JEDEC TO-220AB EMITTER COLLECTOR GATE COLLECTOR (FLANGE) Features Logic Level Gate Drive Internal Voltage Clamp ESD Gate Protection TJ = 175 C Ignition Energy Capable o
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부품번호	상세설명	제조업체	PDF
HGT1N30N60A4D	600V/ SMPS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode HGT1N30N60A4D Data Sheet December 2001 600V, SMPS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode The HGT1N30N60A4D is a MOS gated high voltage switching device combining the best features of a MOSFETs and a bipolar transistor. These devices have the high input impedance of a MOSFET and th	Fairchild Semiconductor
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
HGT1N40N60A4	600V/ SMPS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode HGT1N40N60A4D Data Sheet December 2001 600V, SMPS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode The HGT1N40N60A4D is a MOS gated high voltage switching device combining the best features of a MOSFET and a bipolar transistor. These devices have the high input impedance of a MOSFET and the	Fairchild Semiconductor
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
HGT1N40N60A4D	600V/ SMPS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode HGT1N40N60A4D Data Sheet December 2001 600V, SMPS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode The HGT1N40N60A4D is a MOS gated high voltage switching device combining the best features of a MOSFET and a bipolar transistor. These devices have the high input impedance of a MOSFET and the	Fairchild Semiconductor

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