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HGTG32N60E2 데이터시트 PDF ( Data sheet )이 부품은 32A/ 600V N-Channel IGBT의 기능을 가지고 있습니다. |
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번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 |
1 | HGTG32N60E2 Intersil Corporation | 32A/ 600V N-Channel IGBT HGTG32N60E2
April 1995
32A, 600V N-Channel IGBT
Package
JEDEC STYLE TO-247
EMITTER COLLECTOR GATE
Features
32A, 600V Latch Free Operation Typical Fall Time - 600ns High Input Impedance Low Conduction Loss
COLLECTOR (BOTTOM SIDE METAL)
Description
The IGBT is a MOS gated high voltage switchi | ![]() |
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국내 전자부품 판매점 |
디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ |
부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
HGT1N30N60A4D | 600V/ SMPS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode HGT1N30N60A4D
Data Sheet December 2001
600V, SMPS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
The HGT1N30N60A4D is a MOS gated high voltage switching device combining the best features of a MOSFETs and a bipolar transistor. These devices have the high input impedance of a MOSFET and th |
![]() Fairchild Semiconductor |
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부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
HGT1N40N60A4 | 600V/ SMPS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode HGT1N40N60A4D
Data Sheet December 2001
600V, SMPS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
The HGT1N40N60A4D is a MOS gated high voltage switching device combining the best features of a MOSFET and a bipolar transistor. These devices have the high input impedance of a MOSFET and the |
![]() Fairchild Semiconductor |
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부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
HGT1N40N60A4D | 600V/ SMPS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode HGT1N40N60A4D
Data Sheet December 2001
600V, SMPS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
The HGT1N40N60A4D is a MOS gated high voltage switching device combining the best features of a MOSFET and a bipolar transistor. These devices have the high input impedance of a MOSFET and the |
![]() Fairchild Semiconductor |
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