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| 번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 |
| 1 | HN7G03FU Toshiba Semiconductor | Power Management Switch Applications HN7G03FU
TOSHIBA Multichip Discrete Device
HN7G03FU
Unit: mm
Power Management Switch Applications Driver Circuit Applications Interface Circuit Applications
Q1 (transistor) Q2 (S-MOS)
: 2SA1955 equivalent : SSM3K04FU equivalent
Q1 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristic Collector- |  |
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국내 전자부품 판매점 |
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디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ |
관련 검색 목록
| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| HN7G01FE | Power Management Switch Applications HN7G01FE
TOSHIBA Multichip Discrete Device
HN7G01FE
Unit: mm
Power Management Switch Applications Driver Circuit Applications Interface Circuit Applications
Q1 (transistor): 2SA1955 equivalent Q2 (MOSFET): SSM3K03FE equivalent
Q1 (Transistor) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristi |
Toshiba Semiconductor |
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| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| HN7G01FU | Power Management Switch Application HN7G01FU
Preliminary
TOSHIBA Multi Chip Discrete Device
HN7G01FU
Unit: mm
Power Management Switch Application Driver Circuit Application Interface Circuit Application
Q1 (transistor): 2SA1955 equivalent Q2 (MOS-FET): 2SK1830 equivalent
Q1 (transistor) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Ch |
Toshiba Semiconductor |
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| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| HN7G02FE | Power Management Switch Applications HN7G02FE
TOSHIBA Multichip Discrete Device
HN7G02FE
Unit: mm
Power Management Switch Applications, Inverter Circuit Applications, Driver Circuit Applications and Interface Circuit Applications
Q1 (transistor): RN2110 equivalent Q2 (MOSFET): SSM3K03FE equivalent
Q1 (Transistor) Absolute Maximum R |
Toshiba Semiconductor |
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