|
|
HRF502A 데이터시트 PDF ( Data sheet )이 부품은 Silicon Schottky Barrier Diode for Rectifying의 기능을 가지고 있습니다. |
사이트 이용 방법
|
HRF502A의 핀아웃 및 회로도를 보려면 검색 결과에 있는 PDF 아이콘을 클릭하세요. |
검색 결과 목록
| 번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 |
| 1 | HRF502A Hitachi Semiconductor | Silicon Schottky Barrier Diode for Rectifying HRF502A
Silicon Schottky Barrier Diode for Rectifying
ADE-208-245C(Z) Rev 3 Sep. 1997 Features
Low forward voltage drop and suitable for high effifiency rectifying. DO-214 is suitable for high density surface mounting and high speed assembly.
Ordering Information
Type No. HRF502A Laser Mark 502A |  |
데이터시트 다운로드
| |||
국내 전자부품 판매점 |
|
디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ |
관련 검색 목록
| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| HRF120N10K | N-Channel MOSFET HRF120N10K
HRF120N10K
100V N-Channel Trench MOSFET
FEATURES
BVDSS = 100 V ID = 73 A Unrivalled Gate Charge : 65 nC (Typ.) Lower RDS(ON) : 10 mΩ (Typ.) @VGS=10V 100% Avalanche Tested
December 2014
8DFN 5x6
1
Absolute Maximum Ratings TC=25℃ unless otherwise specified
Symbol
Parameter
Val |
 SemiHow |
 |
| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| HRF130N06K | N-Channel MOSFET HRF130N06K
HRF130N06K
60V N-Channel Trench MOSFET
FEATURES
BVDSS = 60 V ID = 70 A Unrivalled Gate Charge : 42 nC (Typ.) Lower RDS(ON) : 10.5 mΩ (Typ.) @VGS=10V 100% Avalanche Tested
December 2014
8DFN 5x6 1
Absolute Maximum Ratings TC=25℃ unless otherwise specified
Symbol
Parameter
Val |
SemiHow |
|
| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| HRF140N06K | N-Channel MOSFET HRF140N06K
HRF140N06K
60V N-Channel Trench MOSFET
FEATURES
BVDSS = 60 V ID = 40 A Unrivalled Gate Charge : 40 nC (Typ.) Lower RDS(ON) : 11.5 mΩ (Typ.) @VGS=10V 100% Avalanche Tested
December 2014
8DFN 5x6 1
Absolute Maximum Ratings TC=25℃ unless otherwise specified
Symbol
Parameter
Val |
SemiHow |
|
페이지 링크 허용우리는 데이터시트를 무료로 제공하며, 이 페이지에 대한 링크도 허용합니다.검색결과에 표시되지 않는 내용은 수일내에 자동으로 업데이트 됩니다. |
공유링크 :
|
당사의 고급 검색 기능을 사용하면 제조업체, 부품 번호 및 기타 주요 기준별로 |
|
DataSheet.kr | 2020 | 연락처 | 링크모음 | 신규 | 사이트맵 : 1, 2 |