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HVV1214-100 데이터시트 PDF ( Data sheet )이 부품은 Power Transistor의 기능을 가지고 있습니다. |
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| 번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 |
| 1 | HVV1214-100 HVVi | Power Transistor The innovative Semiconductor Company!
HVV1214-100 High Voltage, High Ruggedness
TM L-Band Radar Pulsed Power Transistor 1200-1400 MHz, 200μs Pulse, 10% Duty For Ground Based Radar Applications
Features
Silicon MOSFET Technology Operation from 24V to 50V High Power Gain Extreme Ruggedness Inter |  |
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국내 전자부품 판매점 |
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디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ |
관련 검색 목록
| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| HVV0405-175 | Power Transistor The innovative Semiconductor Company!
HVV0405-175 High Voltage, High Ruggedness
TM UHF Pulsed Power Transistor 400-500 MHz, 300μs Pulse, 10% Duty Cycle For UHF band, Weather and Long Range Radar Applications
Features
Silicon MOSFET Technology Operation from 24V to 50V High Power Gain Extreme Ru |
HVVi |
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| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| HVV0912-150 | Power Transistor The innovative Semiconductor Company!
HVV0912-150 High Voltage, High Ruggedness
TM L-Band Avionics Pulsed Power Transistor 960-1215 MHz, 10μs Pulse, 10% Duty Cycle For Ground and Air DME, TCAS and IFF Applications
Features
Silicon MOSFET Technology Operation from 24V to 50V High Power Gain Extr |
HVVi |
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| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| HVV1011-035 | RF transistor DESCRIPTION
The high power HVV1011-035 device is a high voltage silicon enhancement mode RF transistor designed for L-band pulsed applications operating at frequencies of 1030 MH- and 1090 MHz.
PACKAGE
FEATURES
High Power Gain Excellent Ruggedness 50V Supply Voltage
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbo |
 ASI |
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