HY57V651620BLTC-10S 데이터시트 PDF ( Data sheet )

이 부품은 4 Banks x 1M x 16Bit Synchronous DRAM의 기능을 가지고 있습니다.

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번호	부품번호	상세설명 및 전자부품 기능	제조사
1	HY57V651620BLTC-10S Hynix Semiconductor	4 Banks x 1M x 16Bit Synchronous DRAM HY57V651620B 4 Banks x 1M x 16Bit Synchronous DRAM DESCRIPTION The Hynix HY57V641620HG is a 67,108,864-bit CMOS Synchronous DRAM, ideally suited for the main memory applications which require large memory density and high bandwidth. HY57V641620HG is organized as 4banks of 1,048,576x16. H Y 5 7 V 6
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부품번호	상세설명	제조업체	PDF
HY5-P	Current Transducers HY 5 to 25-P Current Transducers HY 5 to 25-P For the electronic measurement of currents : DC, AC, pulsed, mixed, with a galvanic isolation between the primary circuit (high power) and the secondary circuit (electronic circuit). IPN = 5 .. 25 A Electrical data Primary nominal r.m.s. current IPN (A) 5 10 12.5	LEM
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
HY50-P	Current Transducer HY 50-P	LEM
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
HY5002	1-chip composed of high-current totem pole output circuits Features Precision Reference Voltage: 5.0V (±1%) Low start-up current: typ. 50uA High current totem pole output: typ. 700mA Internal temperature compensated oscillator Double pulse suppression UVLO with Hysteresis function Oscillator Frequency: Max. 500KH- Package: PDIP8 , SOP8 Pb General Descri	HAWYANG

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