HY5S6B6D 데이터시트 PDF ( Data sheet )

이 부품은 (HY5S6B6D/L/S/F/P) 4Banks x 1M x 16-Bits SDRAM의 기능을 가지고 있습니다.

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번호	부품번호	상세설명 및 전자부품 기능	제조사
1	HY5S6B6D Hynix Semiconductor	(HY5S6B6D/L/S/F/P) 4Banks x 1M x 16-Bits SDRAM Document Title 4Bank x 1M x 16bits Synchronous DRAM Revision History w w w Revision No. 0.1 0.2 0.3 Initial Draft .D at h S a t e e 4U . m o c HY5S6B6D(L, S)F(P)-xE 4Banks x1M x 16bits Synchronous DRAM History Draft Date Sep. 2003 Oct. 2003 Nov. 2003 July 2004 Remark Preliminary Pre
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부품번호	상세설명	제조업체	PDF
HY5-P	Current Transducers HY 5 to 25-P Current Transducers HY 5 to 25-P For the electronic measurement of currents : DC, AC, pulsed, mixed, with a galvanic isolation between the primary circuit (high power) and the secondary circuit (electronic circuit). IPN = 5 .. 25 A Electrical data Primary nominal r.m.s. current IPN (A) 5 10 12.5	LEM
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
HY50-P	Current Transducer HY 50-P	LEM
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
HY5002	1-chip composed of high-current totem pole output circuits Features Precision Reference Voltage: 5.0V (±1%) Low start-up current: typ. 50uA High current totem pole output: typ. 700mA Internal temperature compensated oscillator Double pulse suppression UVLO with Hysteresis function Oscillator Frequency: Max. 500KH- Package: PDIP8 , SOP8 Pb General Descri	HAWYANG

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