HY5V66EF6 데이터시트 PDF ( Data sheet )

이 부품은 (HY5V66ExF6x) CMOS Synchronous DRAM의 기능을 가지고 있습니다.

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번호	부품번호	상세설명 및 전자부품 기능	제조사
1	HY5V66EF6 Hynix Semiconductor	(HY5V66ExF6x) CMOS Synchronous DRAM 64Mb Synchronous DRAM based on 1M x 4Bank x16 I, O Document Title 4Bank x 1M x 16bits Synchronous DRAM Revision History Revision No. 0.01 Initial Draft 1. Editorial chage 0.80Typ --> 0.45 +, -0.05 (page12, Ball Dimension) Before dimension : History Draft Date Dec. 2004 Remark Preliminary 0.80 T
2	HY5V66EF6P Hynix Semiconductor	(HY5V66ExF6x) CMOS Synchronous DRAM 64Mb Synchronous DRAM based on 1M x 4Bank x16 I, O Document Title 4Bank x 1M x 16bits Synchronous DRAM Revision History Revision No. 0.01 Initial Draft 1. Editorial chage 0.80Typ --> 0.45 +, -0.05 (page12, Ball Dimension) Before dimension : History Draft Date Dec. 2004 Remark Preliminary 0.80 T
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부품번호	상세설명	제조업체	PDF
HY5-P	Current Transducers HY 5 to 25-P Current Transducers HY 5 to 25-P For the electronic measurement of currents : DC, AC, pulsed, mixed, with a galvanic isolation between the primary circuit (high power) and the secondary circuit (electronic circuit). IPN = 5 .. 25 A Electrical data Primary nominal r.m.s. current IPN (A) 5 10 12.5	LEM
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
HY50-P	Current Transducer HY 50-P	LEM
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
HY5002	1-chip composed of high-current totem pole output circuits Features Precision Reference Voltage: 5.0V (±1%) Low start-up current: typ. 50uA High current totem pole output: typ. 700mA Internal temperature compensated oscillator Double pulse suppression UVLO with Hysteresis function Oscillator Frequency: Max. 500KH- Package: PDIP8 , SOP8 Pb General Descri	HAWYANG

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