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번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 |
1 | IDD04SG60C Infineon Technologies | Schottky Diode 3rd Generation thinQ!TM SiC Schottky Diode
Features Revolutionary semiconductor material - Silicon Carbide Switching behavior benchmark
No reverse recovery , No forward recovery Temperature independent switching behavior High surge current capability Pb-free lead plating; RoHS compliant Qual | ![]() |
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국내 전자부품 판매점 |
디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ |
부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
IDD03E60 | Fast Switching Emitter Controlled Diode F!a1s2t S5w)i2t#c(h)i-n'g E,mitt.e-r"C-EoJn@tArolled Diode
, A=NOLA #"6
00
V0 E m>itte@r C"`RoPnUtr[o\llYe\dTetechnology #" 2CDB64@F6BI #"- @7DCG:D49: 8 #"& @G B6F6BC6 B64@F6BI 492B86 #"& @G 7@BG2B5F@=D286 #" K @A6B2D: 8 D6> A6B2DEB6 #" 2CI A2B2==6=: 8
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![]() Infineon Technologies |
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부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
IDD03SG60C | Schottky Diode 3rd Generation thinQ!TM SiC Schottky Diode
Features Revolutionary semiconductor material - Silicon Carbide Switching behavior benchmark
No reverse recovery , No forward recovery Temperature independent switching behavior High surge current capability Pb-free lead plating; RoHS compliant Qual |
![]() Infineon Technologies |
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부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
IDD04E120 | Fast Switching EmCon Diode IDP04E120
Fast Switching EmCon Diode
Feature 1200 V EmCon technology Fast recovery Soft switching Low reverse recovery charge Low forward voltage
Product Summary VRRM IF VF T jmax 1200 4 1.65 150 V A V °C
PG-TO220-2-2.
Easy paralleling
Type IDP04E120
Package PG-TO220-2-2.
Ordering Cod |
![]() Infineon Technologies |
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