IDT70T35 데이터시트 PDF ( Data sheet )

이 부품은 (IDT70T3519 - IDT70T3599) HIGH-SPEED 2.5V 256/128/64K x 36 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM의 기능을 가지고 있습니다.

사이트 이용 방법

IDT70T35의 핀아웃 및 회로도를 보려면 검색 결과에 있는 PDF 아이콘을 클릭하세요.

클릭한 반도체 부품에 대한 모든 관련 사양 및 성능이 포함된 데이터시트가 제공됩니다.

검색 결과 목록

번호	부품번호	상세설명 및 전자부품 기능	제조사
1	IDT70T35 Integrated Device Technology	HIGH-SPEED 2.5V 8/4K x 18 DUAL-PORT 8/4K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM HIGH-SPEED 2.5V 8, 4K x 18 DUAL-PORT 8, 4K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM Features ◆ ◆ PRELIMINARY IDT70T35, 34L IDT70T25, 24L ◆ ◆ ◆ True Dual-Ported memory cells which allow simultaneous reads of the same memory location High-speed access IDT70T35, 34L (IDT70T25, 24L) Commercial: 20, 25n
2	IDT70T3509M IDT	HIGH-SPEED 2.5V 1024K x 36 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM HIGH-SPEED 2.5V 1024K x 36 IDT70T3509M SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE Features: ◆ ◆ ◆ ◆ ◆ ◆ True Dual-Port memory cells which allow simultaneous access of the same memory location High-speed data access Commercial: 4.2ns (133MHz)(max.) Industrial: 4.2n
3	IDT70T3519 IDT	(IDT70T3519 - IDT70T3599) HIGH-SPEED 2.5V 256/128/64K x 36 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM Features: ◆ ◆ HIGH-SPEED 2.5V 256, 128, 64K x 36 IDT70T3519, 99, 89S SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE Data input, address, byte enable and control registers Self-timed write allows fast cycle time Separate byte controls for multiplexed bus and bus matching compat
4	IDT70T3539M IDT	HIGH-SPEED 2.5V 512K x 36 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM Features: ◆ ◆ HIGH-SPEED 2.5V 512K x 36 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE PRELIMINARY IDT70T3539M ◆ ◆ ◆ ◆ ◆ True Dual-Port memory cells which allow simultaneous access of the same memory location High-speed data access Commercial: 3.6ns (166MHz), 4.2n
데이터시트 다운로드

국내 전자부품 판매점

디바이스마트

IC114

엘레파츠

ICbanQ

관련 검색 목록

부품번호	상세설명	제조업체	PDF
IDT02S60C	Schottky Diode IDT02S60C 2ndGeneration thinQ!TM SiC Schottky Diode Features Revolutionary semiconductor material - Silicon Carbide No reverse recovery, no forward recovery Temperature independent switching behavior High surge current capability Qualified according to JEDEC1) for target applications Breakdo	Infineon Technologies
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
IDT03S60C	Schottky Diode IDT03S60C 2ndGeneration thinQ!TM SiC Schottky Diode Features Revolutionary semiconductor material - Silicon Carbide No reverse recovery, no forward recovery Temperature independent switching behavior High surge current capability Qualified according to JEDEC1) for target applications Breakdo	Infineon Technologies
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
IDT04S60C	2nd Generation thinQ SiC Schottky Diode IDT04S60C 2ndGeneration thinQ!TM SiC Schottky Diode Features Revolutionary semiconductor material - Silicon Carbide Switching behavior benchmark No reverse recovery, No forward recovery No temperature influence on the switching behavior High surge current capability Pb-free lead plating; Ro	Infineon Technologies AG

페이지 링크 허용

우리는 데이터시트를 무료로 제공하며, 이 페이지에 대한 링크도 허용합니다.

검색결과에 표시되지 않는 내용은 수일내에 자동으로 업데이트 됩니다.

공유링크 :

당사의 고급 검색 기능을 사용하면 제조업체, 부품 번호 및 기타 주요 기준별로

결과를 필터링하여 필요한 정확한 데이터시트를 쉽게 찾을 수 있습니다.