IDT70V07 데이터시트 PDF ( Data sheet )

이 부품은 HIGH-SPEED 3.3V 32K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM의 기능을 가지고 있습니다.

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번호	부품번호	상세설명 및 전자부품 기능	제조사
1	IDT70V07 Integrated Device Technology	HIGH-SPEED 3.3V 32K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM HIGH-SPEED 3.3V 32K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM Integrated Device Technology, Inc. IDT70V07S, L FEATURES: True Dual-Ported memory cells which allow simultaneous access of the same memory location High-speed access Commercial: 25, 35, 55ns (max.) Low-power operation IDT70V07S Active: 450mW (typ.)
2	IDT70V07L Integrated Device Technology	HIGH-SPEED 3.3V 32K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM HIGH-SPEED 3.3V 32K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM Integrated Device Technology, Inc. IDT70V07S, L FEATURES: True Dual-Ported memory cells which allow simultaneous access of the same memory location High-speed access Commercial: 25, 35, 55ns (max.) Low-power operation IDT70V07S Active: 450mW (typ.)
3	IDT70V07S Integrated Device Technology	HIGH-SPEED 3.3V 32K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM HIGH-SPEED 3.3V 32K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM Integrated Device Technology, Inc. IDT70V07S, L FEATURES: True Dual-Ported memory cells which allow simultaneous access of the same memory location High-speed access Commercial: 25, 35, 55ns (max.) Low-power operation IDT70V07S Active: 450mW (typ.)
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부품번호	상세설명	제조업체	PDF
IDT02S60C	Schottky Diode IDT02S60C 2ndGeneration thinQ!TM SiC Schottky Diode Features Revolutionary semiconductor material - Silicon Carbide No reverse recovery, no forward recovery Temperature independent switching behavior High surge current capability Qualified according to JEDEC1) for target applications Breakdo	Infineon Technologies
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
IDT03S60C	Schottky Diode IDT03S60C 2ndGeneration thinQ!TM SiC Schottky Diode Features Revolutionary semiconductor material - Silicon Carbide No reverse recovery, no forward recovery Temperature independent switching behavior High surge current capability Qualified according to JEDEC1) for target applications Breakdo	Infineon Technologies
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
IDT04S60C	2nd Generation thinQ SiC Schottky Diode IDT04S60C 2ndGeneration thinQ!TM SiC Schottky Diode Features Revolutionary semiconductor material - Silicon Carbide Switching behavior benchmark No reverse recovery, No forward recovery No temperature influence on the switching behavior High surge current capability Pb-free lead plating; Ro	Infineon Technologies AG

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