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IDT71V2548SA133BG 데이터시트 PDF ( Data sheet )이 부품은 128K x 36/ 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 2.5V I/O/ Burst Counter Pipelined Outputs의 기능을 가지고 있습니다. |
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번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 |
1 | IDT71V2548SA133BG Integrated Device Technology | 128K x 36/ 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 2.5V I/O/ Burst Counter Pipelined Outputs 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT™ SRAMs 2.5V I, O, Burst Counter Pipelined Outputs
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IDT71V2546S IDT71V2548S IDT71V2546SA IDT71V2548SA
Features
128K x 36, 256K x 18 memory configurations Supports high performance system speed - 150 MH- (3.8 ns Clock-to-Data Access) ZBTTM Feature - No | ![]() |
2 | IDT71V2548SA133BGI Integrated Device Technology | 128K x 36/ 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 2.5V I/O/ Burst Counter Pipelined Outputs 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT™ SRAMs 2.5V I, O, Burst Counter Pipelined Outputs
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IDT71V2546S IDT71V2548S IDT71V2546SA IDT71V2548SA
Features
128K x 36, 256K x 18 memory configurations Supports high performance system speed - 150 MH- (3.8 ns Clock-to-Data Access) ZBTTM Feature - No | ![]() |
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국내 전자부품 판매점 |
디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ |
부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
IDT02S60C | Schottky Diode IDT02S60C
2ndGeneration thinQ!TM SiC Schottky Diode
Features Revolutionary semiconductor material - Silicon Carbide No reverse recovery, no forward recovery Temperature independent switching behavior High surge current capability Qualified according to JEDEC1) for target applications Breakdo |
![]() Infineon Technologies |
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부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
IDT03S60C | Schottky Diode IDT03S60C
2ndGeneration thinQ!TM SiC Schottky Diode
Features Revolutionary semiconductor material - Silicon Carbide No reverse recovery, no forward recovery Temperature independent switching behavior High surge current capability Qualified according to JEDEC1) for target applications Breakdo |
![]() Infineon Technologies |
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부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
IDT04S60C | 2nd Generation thinQ SiC Schottky Diode IDT04S60C
2ndGeneration thinQ!TM SiC Schottky Diode
Features Revolutionary semiconductor material - Silicon Carbide Switching behavior benchmark No reverse recovery, No forward recovery No temperature influence on the switching behavior High surge current capability Pb-free lead plating; Ro |
![]() Infineon Technologies AG |
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