IDT7282 데이터시트 PDF ( Data sheet )

이 부품은 CMOS DUAL SyncFIFO DUAL 256 x 18/ DUAL 512 x 18/ DUAL 1024 x 18의 기능을 가지고 있습니다.

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번호	부품번호	상세설명 및 전자부품 기능	제조사
1	IDT7282 Integrated Device Technology	CMOS DUAL ASYNCHRONOUS FIFO DUAL 256 x 9/ DUAL 512 x 9/ DUAL 1024 x 9 CMOS DUAL ASYNCHRONOUS FIFO DUAL 256 x 9, DUAL 512 x 9, DUAL 1,024 x 9, DUAL 2,048 x 9, DUAL 4,096 x 9, DUAL 8,192 x 9 IDT7280 IDT7281 IDT7282 IDT7283 IDT7284 IDT7285 FEATURES: DESCRIPTION: The IDT7280, 7281, 7282, 7283, 7284, 7285 are dual-FIFO memories that load and empty data on a firs
2	IDT72821 Integrated Device Technology	DUAL CMOS SyncFIFO DUAL CMOS SyncFIFO™ Integrated Device Technology, Inc. IDT72801 IDT72811 IDT72821 IDT72831 IDT72841 FEATURES: The 72801 is equivalent to two 72201 256 x 9 FIFOs The 72811 is equivalent to two 72211 512 x 9 FIFOs The 72821 is equivalent to two 72221 1024 x 9 FIFOs The 72831 is equivalent to
3	IDT72821L12PF Integrated Device Technology	DUAL CMOS SyncFIFO DUAL CMOS SyncFIFO™ Integrated Device Technology, Inc. IDT72801 IDT72811 IDT72821 IDT72831 IDT72841 FEATURES: The 72801 is equivalent to two 72201 256 x 9 FIFOs The 72811 is equivalent to two 72211 512 x 9 FIFOs The 72821 is equivalent to two 72221 1024 x 9 FIFOs The 72831 is equivalent to
4	IDT72821L15PF Integrated Device Technology	DUAL CMOS SyncFIFO DUAL CMOS SyncFIFO™ Integrated Device Technology, Inc. IDT72801 IDT72811 IDT72821 IDT72831 IDT72841 FEATURES: The 72801 is equivalent to two 72201 256 x 9 FIFOs The 72811 is equivalent to two 72211 512 x 9 FIFOs The 72821 is equivalent to two 72221 1024 x 9 FIFOs The 72831 is equivalent to
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관련 검색 목록

부품번호	상세설명	제조업체	PDF
IDT02S60C	Schottky Diode IDT02S60C 2ndGeneration thinQ!TM SiC Schottky Diode Features Revolutionary semiconductor material - Silicon Carbide No reverse recovery, no forward recovery Temperature independent switching behavior High surge current capability Qualified according to JEDEC1) for target applications Breakdo	Infineon Technologies
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
IDT03S60C	Schottky Diode IDT03S60C 2ndGeneration thinQ!TM SiC Schottky Diode Features Revolutionary semiconductor material - Silicon Carbide No reverse recovery, no forward recovery Temperature independent switching behavior High surge current capability Qualified according to JEDEC1) for target applications Breakdo	Infineon Technologies
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
IDT04S60C	2nd Generation thinQ SiC Schottky Diode IDT04S60C 2ndGeneration thinQ!TM SiC Schottky Diode Features Revolutionary semiconductor material - Silicon Carbide Switching behavior benchmark No reverse recovery, No forward recovery No temperature influence on the switching behavior High surge current capability Pb-free lead plating; Ro	Infineon Technologies AG

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