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IDT72V201L20J 데이터시트 PDF ( Data sheet )이 부품은 3.3 VOLT CMOS SyncFIFO 256 x 9/ 512 x 9/ 1/024 x 9/ 2/048 x 9/ 4/096 x 9 and 8/192 x 9의 기능을 가지고 있습니다. |
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번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 |
1 | IDT72V201L20J Integrated Device Technology | 3.3 VOLT CMOS SyncFIFO 256 x 9/ 512 x 9/ 1/024 x 9/ 2/048 x 9/ 4/096 x 9 and 8/192 x 9 3.3 VOLT CMOS SyncFIFO™ 256 x 9, 512 x 9, 1,024 x 9, 2,048 x 9, 4,096 x 9 and 8,192 x 9
IDT72V201, IDT72V211 IDT72V221, IDT72V231 IDT72V241, IDT72V251
FEATURES:
256 x 9-bit organization IDT72V201 512 x 9-bit organization IDT72V211 1,024 x 9-bit organization IDT72V221 2,048 x 9 | ![]() |
2 | IDT72V201L20JI Integrated Device Technology | 3.3 VOLT CMOS SyncFIFO 256 x 9/ 512 x 9/ 1/024 x 9/ 2/048 x 9/ 4/096 x 9 and 8/192 x 9 3.3 VOLT CMOS SyncFIFO™ 256 x 9, 512 x 9, 1,024 x 9, 2,048 x 9, 4,096 x 9 and 8,192 x 9
IDT72V201, IDT72V211 IDT72V221, IDT72V231 IDT72V241, IDT72V251
FEATURES:
256 x 9-bit organization IDT72V201 512 x 9-bit organization IDT72V211 1,024 x 9-bit organization IDT72V221 2,048 x 9 | ![]() |
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국내 전자부품 판매점 |
디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ |
부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
IDT02S60C | Schottky Diode IDT02S60C
2ndGeneration thinQ!TM SiC Schottky Diode
Features Revolutionary semiconductor material - Silicon Carbide No reverse recovery, no forward recovery Temperature independent switching behavior High surge current capability Qualified according to JEDEC1) for target applications Breakdo |
![]() Infineon Technologies |
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부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
IDT03S60C | Schottky Diode IDT03S60C
2ndGeneration thinQ!TM SiC Schottky Diode
Features Revolutionary semiconductor material - Silicon Carbide No reverse recovery, no forward recovery Temperature independent switching behavior High surge current capability Qualified according to JEDEC1) for target applications Breakdo |
![]() Infineon Technologies |
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부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
IDT04S60C | 2nd Generation thinQ SiC Schottky Diode IDT04S60C
2ndGeneration thinQ!TM SiC Schottky Diode
Features Revolutionary semiconductor material - Silicon Carbide Switching behavior benchmark No reverse recovery, No forward recovery No temperature influence on the switching behavior High surge current capability Pb-free lead plating; Ro |
![]() Infineon Technologies AG |
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