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IDT72V36100 데이터시트 PDF ( Data sheet )이 부품은 3.3 VOLT HIGH-DENSITY SUPERSYNC II 36-BIT FIFO의 기능을 가지고 있습니다. |
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번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 |
1 | IDT72V36100 Integrated Device Tech | 3.3 VOLT HIGH-DENSITY SUPERSYNC II 36-BIT FIFO 3.3 VOLT HIGH-DENSITY SUPERSYNC™ II 36-BIT FIFO
1,024 x 36, 2,048 x 36 4,096 x 36, 8,192 x 36 16,384 x 36, 32,768 x 36 65,536 x36, 131,072 x 36
IDT72V3640, IDT72V3650 IDT72V3660, IDT72V3670 IDT72V3680, IDT72V3690 IDT72V36100, IDT72V36110
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국내 전자부품 판매점 |
디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ |
부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
IDT02S60C | Schottky Diode IDT02S60C
2ndGeneration thinQ!TM SiC Schottky Diode
Features Revolutionary semiconductor material - Silicon Carbide No reverse recovery, no forward recovery Temperature independent switching behavior High surge current capability Qualified according to JEDEC1) for target applications Breakdo |
![]() Infineon Technologies |
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부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
IDT03S60C | Schottky Diode IDT03S60C
2ndGeneration thinQ!TM SiC Schottky Diode
Features Revolutionary semiconductor material - Silicon Carbide No reverse recovery, no forward recovery Temperature independent switching behavior High surge current capability Qualified according to JEDEC1) for target applications Breakdo |
![]() Infineon Technologies |
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부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
IDT04S60C | 2nd Generation thinQ SiC Schottky Diode IDT04S60C
2ndGeneration thinQ!TM SiC Schottky Diode
Features Revolutionary semiconductor material - Silicon Carbide Switching behavior benchmark No reverse recovery, No forward recovery No temperature influence on the switching behavior High surge current capability Pb-free lead plating; Ro |
![]() Infineon Technologies AG |
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