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IDT74FCT163951BPA 데이터시트 PDF ( Data sheet )이 부품은 3.3V CMOS 16-BIT REGISTERED TRANSCEIVER의 기능을 가지고 있습니다. |
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번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 |
1 | IDT74FCT163951BPA Integrated Device Technology | 3.3V CMOS 16-BIT REGISTERED TRANSCEIVER 3.3V CMOS 16-BIT REGISTERED TRANSCEIVER
Integrated Device Technology, Inc.
IDT74FCT163952A, B, C
FEATURES:
0.5 MICRON CMOS Technology Typical tSK(o) (Output Skew) < 250ps ESD > 2000V per MIL-STD-883, Method 3015; > 200V using machine model (C = 200pF, R = 0) Packages include 25 mil pitch SSOP, | ![]() |
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국내 전자부품 판매점 |
디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ |
부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
IDT02S60C | Schottky Diode IDT02S60C
2ndGeneration thinQ!TM SiC Schottky Diode
Features Revolutionary semiconductor material - Silicon Carbide No reverse recovery, no forward recovery Temperature independent switching behavior High surge current capability Qualified according to JEDEC1) for target applications Breakdo |
![]() Infineon Technologies |
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부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
IDT03S60C | Schottky Diode IDT03S60C
2ndGeneration thinQ!TM SiC Schottky Diode
Features Revolutionary semiconductor material - Silicon Carbide No reverse recovery, no forward recovery Temperature independent switching behavior High surge current capability Qualified according to JEDEC1) for target applications Breakdo |
![]() Infineon Technologies |
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부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
IDT04S60C | 2nd Generation thinQ SiC Schottky Diode IDT04S60C
2ndGeneration thinQ!TM SiC Schottky Diode
Features Revolutionary semiconductor material - Silicon Carbide Switching behavior benchmark No reverse recovery, No forward recovery No temperature influence on the switching behavior High surge current capability Pb-free lead plating; Ro |
![]() Infineon Technologies AG |
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