IDT7MMV4101 데이터시트 PDF ( Data sheet )

이 부품은 128K x 24 Three Megabit 3.3V CMOS Static RAM의 기능을 가지고 있습니다.

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번호	부품번호	상세설명 및 전자부품 기능	제조사
1	IDT7MMV4101 Integrated Device	128K x 24 Three Megabit 3.3V CMOS Static RAM 128K x 24 Three Megabit 3.3V CMOS Static RAM IDT7MMV4101 x x Features High density 3 megabit 3.3V static RAM Low profile 119 lead, 14mm x 22mm BGA (Ball Grid Array) Fast RAM access times: 10,12,15ns Single 3.3V power supply Multiple Vcc & GND pins for maximum noise immunity Inputs, outputs direct
2	IDT7MMV4101S10BG Integrated Device	128K x 24 Three Megabit 3.3V CMOS Static RAM 128K x 24 Three Megabit 3.3V CMOS Static RAM IDT7MMV4101 x x Features High density 3 megabit 3.3V static RAM Low profile 119 lead, 14mm x 22mm BGA (Ball Grid Array) Fast RAM access times: 10,12,15ns Single 3.3V power supply Multiple Vcc & GND pins for maximum noise immunity Inputs, outputs direct
3	IDT7MMV4101S10BGI Integrated Device	128K x 24 Three Megabit 3.3V CMOS Static RAM 128K x 24 Three Megabit 3.3V CMOS Static RAM IDT7MMV4101 x x Features High density 3 megabit 3.3V static RAM Low profile 119 lead, 14mm x 22mm BGA (Ball Grid Array) Fast RAM access times: 10,12,15ns Single 3.3V power supply Multiple Vcc & GND pins for maximum noise immunity Inputs, outputs direct
4	IDT7MMV4101S12BG Integrated Device	128K x 24 Three Megabit 3.3V CMOS Static RAM 128K x 24 Three Megabit 3.3V CMOS Static RAM IDT7MMV4101 x x Features High density 3 megabit 3.3V static RAM Low profile 119 lead, 14mm x 22mm BGA (Ball Grid Array) Fast RAM access times: 10,12,15ns Single 3.3V power supply Multiple Vcc & GND pins for maximum noise immunity Inputs, outputs direct
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관련 검색 목록

부품번호	상세설명	제조업체	PDF
IDT02S60C	Schottky Diode IDT02S60C 2ndGeneration thinQ!TM SiC Schottky Diode Features Revolutionary semiconductor material - Silicon Carbide No reverse recovery, no forward recovery Temperature independent switching behavior High surge current capability Qualified according to JEDEC1) for target applications Breakdo	Infineon Technologies
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
IDT03S60C	Schottky Diode IDT03S60C 2ndGeneration thinQ!TM SiC Schottky Diode Features Revolutionary semiconductor material - Silicon Carbide No reverse recovery, no forward recovery Temperature independent switching behavior High surge current capability Qualified according to JEDEC1) for target applications Breakdo	Infineon Technologies
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
IDT04S60C	2nd Generation thinQ SiC Schottky Diode IDT04S60C 2ndGeneration thinQ!TM SiC Schottky Diode Features Revolutionary semiconductor material - Silicon Carbide Switching behavior benchmark No reverse recovery, No forward recovery No temperature influence on the switching behavior High surge current capability Pb-free lead plating; Ro	Infineon Technologies AG

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