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IR082HD4C10U-P2 데이터시트 PDF ( Data sheet )이 부품은 HIGH VOLTAGE HALF BRIDGE의 기능을 가지고 있습니다. |
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| 번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 |
| 1 | IR082HD4C10U-P2 International Rectifier | HIGH VOLTAGE HALF BRIDGE
Preliminary Data Sheet No. PD60171-D
IR062HD4C10U-P2 IR082HD4C10U-P2
HIGH VOLTAGE HALF BRIDGE
Features
Output Power IGBT’s in half-bridge configuration 575V rated breakdown voltage High side gate drive designed for bootstrap
operation
Product Summary
VIN (max) PD (TA = 25°C) VCE(ON) typ 5 |  |
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국내 전자부품 판매점 |
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디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ |
관련 검색 목록
| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| IR01D214 | (IR01H(D)xxx) HIGH VOLTAGE HALF BRIDGE Data Sheet No. PD-6.075-G
IR01H(D)214 , IR01H(D)214-P2 IR01H(D)224 , IR01H(D)224-P2 IR01H(D)420 , IR01H(D)420-P2 HIGH VOLTAGE HALF BRIDGE
Features
Output Power MOSFETs in half-bridge configuration 500V rated breakdown voltage High side gate drive designed for bootstrap
operation Matched |
International Rectifier |
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| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| IR01D224 | (IR01H(D)xxx) HIGH VOLTAGE HALF BRIDGE Data Sheet No. PD-6.075-G
IR01H(D)214 , IR01H(D)214-P2 IR01H(D)224 , IR01H(D)224-P2 IR01H(D)420 , IR01H(D)420-P2 HIGH VOLTAGE HALF BRIDGE
Features
Output Power MOSFETs in half-bridge configuration 500V rated breakdown voltage High side gate drive designed for bootstrap
operation Matched |
International Rectifier |
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| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| IR01D420 | (IR01H(D)xxx) HIGH VOLTAGE HALF BRIDGE Data Sheet No. PD-6.075-G
IR01H(D)214 , IR01H(D)214-P2 IR01H(D)224 , IR01H(D)224-P2 IR01H(D)420 , IR01H(D)420-P2 HIGH VOLTAGE HALF BRIDGE
Features
Output Power MOSFETs in half-bridge configuration 500V rated breakdown voltage High side gate drive designed for bootstrap
operation Matched |
International Rectifier |
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