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IRC 데이터시트 PDF ( Data sheet )이 부품은 Power MOSFET ( Transistor )의 기능을 가지고 있습니다. |
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번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 |
1 | IRC International Rectifier | Power MOSFET(Vdss=200V/ Rds(on)=0.40ohm/ Id=9.0A) | |
2 | IRC4BC40F International Rectifier | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
PD - 91454B
IRG4BC40F
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
Features
Fast: optimized for medium operating frequencies ( 1-5 kH- in hard switching, >20 kH- in resonant mode). Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3 Industry standard T | |
3 | IRC503 International Rectifier | Power MOSFET(Vdss=100V/ Rds(on)=0.16ohm/ Id=14A) | |
4 | IRC530 International Rectifier | Power MOSFET(Vdss=100V/ Rds(on)=0.16ohm/ Id=14A) | |
국내 전자부품 판매점 |
디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ |
부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
IRC | Power MOSFET(Vdss=200V/ Rds(on)=0.40ohm/ Id=9.0A) |
International Rectifier |
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부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
IRC4BC40F | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
PD - 91454B
IRG4BC40F
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
Features
Fast: optimized for medium operating frequencies ( 1-5 kH- in hard switching, >20 kH- in resonant mode). Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3 Industry standard T |
International Rectifier |
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부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
IRC503 | Power MOSFET(Vdss=100V/ Rds(on)=0.16ohm/ Id=14A) |
International Rectifier |
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