IRF3315 데이터시트 PDF ( Data sheet )

이 부품은 HEXFET Power MOSFET의 기능을 가지고 있습니다.

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번호	부품번호	상세설명 및 전자부품 기능	제조사
1	IRF3315 International Rectifier	Power MOSFET(Vdss=150V/ Rds(on)=0.07ohm/ Id=27A) PD -91623A APPROVED l l l l l IRF3315 D HEXFET® Power MOSFET Advanced Process Technology Dynamic dv, dt Rating 175°C Operating Temperature Fast Switching Fully Avalanche Rated VDSS = 150V G S RDS(on) = 0.07Ω ID = 27A Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize
2	IRF3315L International Rectifier	Power MOSFET(Vdss=150V/ Rds(on)=0.082ohm/ Id=21A) PD - 9.1617A PRELIMINARY l l l l l l IRF3315S, L HEXFET® Power MOSFET D Advanced Process Technology Surface Mount (IRF3315S) Low-profile through-hole (IRF3315L) 175°C Operating Temperature Fast Switching Fully Avalanche Rated VDSS = 150V G S RDS(on) = 0.082Ω ID = 21A Description Fifth Gene
3	IRF3315L New Jersey Semiconductor	Trans MOSFET N-CH 150V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-262
4	IRF3315LPbF International Rectifier	HEXFET Power MOSFET PD- 95760 IRF3315SPbF IRF3315LPbF Lead-Free www.irf.com 1 08, 24, 04 IRF3315S, LPbF 2 www.irf.com IRF3315S, LPbF www.irf.com 3 IRF3315S, LPbF 4 www.irf.com IRF3315S, LPbF www.irf.com 5 IRF3315S, LPbF 6 www.irf.com IRF3315S, LPbF www.irf.com 7 IRF3315S, LPbF D2Pak Package Out
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부품번호	상세설명	제조업체	PDF
IRF-182xx	Inductors w w ELECTRICAL SPECIFICATIONS MATERIAL SPECIFICATIONS Coating: Epoxy-uniform roll coated. Lead: Tinned copper. Core: Ferrite. a D . w ta Sh t e e 4U .c om Inductors Epoxy Conformal Coated Uniform Roll Coated FEATURES IRF Vishay Dale Flame-retardant coating and color band identification. U	Vishay Intertechnology
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
IRF-46	Inductors Epoxy Conformal Coated IRF-46 Vishay Dale Inductors Epoxy Conformal Coated, Axial Leaded FEATURES Axial lead type, small lightweight design Special magnetic core structure contributes to high Q and self-resonant frequencies RoHS Treated with epoxy resin coating for humidity COMPLIANT resistance to ensure long life	Vishay Siliconix
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
IRF034	N-Channel MOSFET Transistor INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor isc Product Specification IRF034 DESCRIPTION ·Drain Current ID=25A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.05Ω(Max) ·Simple Drive Requirements APPLICATIONS ·Switching power supp	Inchange Semiconductor

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