IRF520 데이터시트 PDF ( Data sheet )

이 부품은 Power MOSFET(Vdss=100V/ Rds(on)=0.165ohm/ Id=9.6A)의 기능을 가지고 있습니다.

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번호	부품번호	상세설명 및 전자부품 기능	제조사
1	IRF520 International Rectifier	9.2A, 100V, HEXFET Power MOSFET
2	IRF520 New Jersey Semiconductor	Trans MOSFET N-CH 100V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
3	IRF520 Vishay	Power MOSFET ( Transistor ) Power MOSFET IRF520, SiHF520 Vishay Siliconix PRODUCT SUMMARY VDS (V) RDS(on) ( ) Qg (Max.) (nC) Qgs (nC) Qgd (nC) Configuration 100 VGS = 10 V 16 4.4 7.7 Single 0.27 TO-220AB D S D G G S N-Channel MOSFET ORDERING INFORMATION Package Lead (Pb)-free SnPb FEATURES Dynamic dV, dt Rating Re
4	IRF520 ST 마이크로일렉트로닉스	N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS IRF520 IRF520FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS TYPE IRF520 IRF520FI s s s s s s s V DSS 100 V 100 V R DS( on) < 0.27 Ω < 0.27 Ω ID 10 A 7A TYPICAL RDS(on) = 0.23 Ω AVALANCHE RUGGED TECHNOLOGY 100% AVALANCHE TESTED REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100oC LOW GATE CHARGE HIGH
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부품번호	상세설명	제조업체	PDF
IRF-182xx	Inductors w w ELECTRICAL SPECIFICATIONS MATERIAL SPECIFICATIONS Coating: Epoxy-uniform roll coated. Lead: Tinned copper. Core: Ferrite. a D . w ta Sh t e e 4U .c om Inductors Epoxy Conformal Coated Uniform Roll Coated FEATURES IRF Vishay Dale Flame-retardant coating and color band identification. U	Vishay Intertechnology
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
IRF-46	Inductors Epoxy Conformal Coated IRF-46 Vishay Dale Inductors Epoxy Conformal Coated, Axial Leaded FEATURES Axial lead type, small lightweight design Special magnetic core structure contributes to high Q and self-resonant frequencies RoHS Treated with epoxy resin coating for humidity COMPLIANT resistance to ensure long life	Vishay Siliconix
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
IRF034	N-Channel MOSFET Transistor INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor isc Product Specification IRF034 DESCRIPTION ·Drain Current ID=25A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.05Ω(Max) ·Simple Drive Requirements APPLICATIONS ·Switching power supp	Inchange Semiconductor

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