IRF730A 데이터시트 PDF ( Data sheet )

이 부품은 Trans MOSFET N-CH 400V 5.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R의 기능을 가지고 있습니다.

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번호	부품번호	상세설명 및 전자부품 기능	제조사
1	IRF730A Samsung	Power MOSFET ( Transistor ) )($785(6 Q $YDODQFKH 5XJJHG 7HFKQRORJ\ Q 5XJJHG DWH 2[LGH 7HFKQRORJ\ Q , RZHU ,QSXW &DSDFLWDQFH Q ,PSURYHG DWH &KDUJH Q ([WHQGHG 6DIH 2SHUDWLQJ $UHD Q , RZHU , HDNDJH &XUUHQW P $ 0D[ # 9'6 9 Q , RZHU 5'6 21 æ
2	IRF730A nELL	N-Channel Power MOSFET / Transistor SEMICONDUCTOR IRF730 Series RRooHHSS Nell High Power Products N-Channel Power MOSFET (5.5A, 400Volts) DESCRIPTION The Nell IRF730 are N-Channel enhancement mode silicon gate power field effect transistors. They are designed, tested and guaranteed to withstand a specified level of energy in the br
3	IRF730A International Rectifier	SMPS MOSFET PD - 91902A SMPS MOSFET IRF730A HEXFET® Power MOSFET Applications l Switch Mode Power Supply (SMPS) l Uninterruptable Power Supply l High speed power switching Benefits Low Gate Charge Qg results in Simple Drive Requirement l Improved Gate, Avalanche and dynamic dv, dt Ruggedness l Fully Charac
4	IRF730A Vishay	Power MOSFET ( Transistor ) Power MOSFET IRF730A, SiHF730A Vishay Siliconix PRODUCT SUMMARY VDS (V) RDS(on) (Ω) Qg (Max.) (nC) 400 VGS = 10 V 22 Qgs (nC) 5.8 Qgd (nC) 9.3 Configuration Single 1.0 TO-220AB D S D G G S N-Channel MOSFET ORDERING INFORMATION Package Lead (Pb)-free SnPb FEATURES Low Gate Charge
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부품번호	상세설명	제조업체	PDF
IRF-182xx	Inductors w w ELECTRICAL SPECIFICATIONS MATERIAL SPECIFICATIONS Coating: Epoxy-uniform roll coated. Lead: Tinned copper. Core: Ferrite. a D . w ta Sh t e e 4U .c om Inductors Epoxy Conformal Coated Uniform Roll Coated FEATURES IRF Vishay Dale Flame-retardant coating and color band identification. U	Vishay Intertechnology
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
IRF-46	Inductors Epoxy Conformal Coated IRF-46 Vishay Dale Inductors Epoxy Conformal Coated, Axial Leaded FEATURES Axial lead type, small lightweight design Special magnetic core structure contributes to high Q and self-resonant frequencies RoHS Treated with epoxy resin coating for humidity COMPLIANT resistance to ensure long life	Vishay Siliconix
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IRF034	N-Channel MOSFET Transistor INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor isc Product Specification IRF034 DESCRIPTION ·Drain Current ID=25A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.05Ω(Max) ·Simple Drive Requirements APPLICATIONS ·Switching power supp	Inchange Semiconductor

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