IRL630S 데이터시트 PDF ( Data sheet )

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번호	부품번호	상세설명 및 전자부품 기능	제조사
1	IRL630S Fairchild Semiconductor	Power MOSFET ( Transistor ) $GYDQFHG 3RZHU 026)(7 IRL630S FEATURES Avalanche Rugged Technology Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area 150°C Operating Temperature Lower Leakage Current: 10 A (Max.) @ VDS = 200V Lower RDS(ON): 0.335Ω (Typ.) Absolute Ma
2	IRL630S International Rectifier	Power MOSFET ( Transistor ) Previous Datasheet Index Next Data Sheet PD - 9.1254 IRL630S HEXFET® Power MOSFET Surface Mount Available in Tape & Reel Dynamic dv, dt Rating Repetitive Avalanche Rated Logic-Level Gate Drive RDS(ON) Specified at VGS = 4V & 5V 150°C Operating Temperature Description Third Generation HEXFETs f
3	IRL630S Vishay	Power MOSFET ( Transistor ) Power MOSFET IRL630S, SiHL630S Vishay Siliconix PRODUCT SUMMARY VDS (V) RDS(on) ( ) Qg (Max.) (nC) 200 VGS = 5 V 40 Qgs (nC) 5.5 Qgd (nC) 24 Configuration Single 0.40 D2PAK (TO-263) D G GD S S N-Channel MOSFET ORDERING INFORMATION Package Lead (Pb)-free and Halogen-free Lead (Pb)-fr
4	IRL630SPBF International Rectifier	Power MOSFET ( Transistor ) PD- 95590 IRL630SPbF Lead-Free www.irf.com 1 07, 20, 04 IRL630SPbF 2 www.irf.com IRL630SPbF www.irf.com 3 IRL630SPbF 4 www.irf.com IRL630SPbF www.irf.com 5 IRL630SPbF 6 www.irf.com IRL630SPbF Peak Diode Recovery dv, dt Test Circuit + Circuit Layout Considerations Low Stray In
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부품번호	상세설명	제조업체	PDF
IRL1004	HEXFET Power MOSFET PD - 91702B IRL1004 HEXFET® Power MOSFET Logic-Level Gate Drive Advanced Process Technology l Ultra Low On-Resistance l Dynamic dv, dt Rating l 175°C Operating Temperature l Fast Switching l Fully Avalanche Rated Description l l D VDSS = 40V RDS(on) = 0.0065Ω G ID = 130A S Fifth Generat	International Rectifier
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
IRL1004L	HEXFET Power MOSFET PD - 91644A IRL1004S IRL1004L Logic-Level Gate Drive Advanced Process Technology l Ultra Low On-Resistance l Dynamic dv, dt Rating l 175°C Operating Temperature l Fast Switching l Fully Avalanche Rated Description l l HEXFET® Power MOSFET D VDSS = 40V G S RDS(on) = 0.0065Ω ID = 130A Fift	International Rectifier
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
IRL1004LPBF	(IRL1004SPBF / IRL1004LPBF) HEXFET Power MOSFET PD - 95575 Logic-Level Gate Drive Advanced Process Technology l Ultra Low On-Resistance l Dynamic dv, dt Rating l 175°C Operating Temperature l Fast Switching l Fully Avalanche Rated l Lead-Free Description l l IRL1004SPbF IRL1004LPbF HEXFET® Power MOSFET D VDSS = 40V G S RDS(on) = 0.0065Ω	International Rectifier

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