IRLR120N 데이터시트 PDF ( Data sheet )

이 부품은 Power MOSFET ( Transistor )의 기능을 가지고 있습니다.

사이트 이용 방법

IRLR120N의 핀아웃 및 회로도를 보려면 검색 결과에 있는 PDF 아이콘을 클릭하세요.

클릭한 반도체 부품에 대한 모든 관련 사양 및 성능이 포함된 데이터시트가 제공됩니다.

검색 결과 목록

번호	부품번호	상세설명 및 전자부품 기능	제조사
1	IRLR120N Fairchild Semiconductor	Power MOSFET ( Transistor ) $GYDQFHG 3RZHU 026)(7 IRLR120N FEATURES Avalanche Rugged Technology Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current: 10 A (Max.) @ VDS = 100V Lower RDS(ON): 0.176Ω (Typ.) BVDSS = 100 V RDS(on) = 0.22Ω ID = 8.4
2	IRLR120N TRF	N-channel power MOSFET / 100V / 10A PD - 91541B IRLR, U120N HEXFET® Power MOSFET l l l l l Surface Mount (IRLR120N) Straight Lead (IRLU120N) Advanced Process Technology Fast Switching Fully Avalanche Rated D VDSS = 100V G S RDS(on) = 0.185Ω ID = 10A Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize adv
3	IRLR120N International Rectifier	Power MOSFET ( Transistor ) l Surface Mount (IRLR120N) l Straight Lead (IRLU120N) l Advanced Process Technology l Fast Switching l Fully Avalanche Rated Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. This b
4	IRLR120NPBF International Rectifier	Power MOSFET ( Transistor ) IRLR120NPbF IRLU120NPbF l Surface Mount (IRLR120N) l Straight Lead (IRLU120N) l Advanced Process Technology l Fast Switching l Fully Avalanche Rated l Lead-Free Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on
데이터시트 다운로드

국내 전자부품 판매점

디바이스마트

IC114

엘레파츠

ICbanQ

관련 검색 목록

부품번호	상세설명	제조업체	PDF
IRL1004	HEXFET Power MOSFET PD - 91702B IRL1004 HEXFET® Power MOSFET Logic-Level Gate Drive Advanced Process Technology l Ultra Low On-Resistance l Dynamic dv, dt Rating l 175°C Operating Temperature l Fast Switching l Fully Avalanche Rated Description l l D VDSS = 40V RDS(on) = 0.0065Ω G ID = 130A S Fifth Generat	International Rectifier
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
IRL1004L	HEXFET Power MOSFET PD - 91644A IRL1004S IRL1004L Logic-Level Gate Drive Advanced Process Technology l Ultra Low On-Resistance l Dynamic dv, dt Rating l 175°C Operating Temperature l Fast Switching l Fully Avalanche Rated Description l l HEXFET® Power MOSFET D VDSS = 40V G S RDS(on) = 0.0065Ω ID = 130A Fift	International Rectifier
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
IRL1004LPBF	(IRL1004SPBF / IRL1004LPBF) HEXFET Power MOSFET PD - 95575 Logic-Level Gate Drive Advanced Process Technology l Ultra Low On-Resistance l Dynamic dv, dt Rating l 175°C Operating Temperature l Fast Switching l Fully Avalanche Rated l Lead-Free Description l l IRL1004SPbF IRL1004LPbF HEXFET® Power MOSFET D VDSS = 40V G S RDS(on) = 0.0065Ω	International Rectifier

페이지 링크 허용

우리는 데이터시트를 무료로 제공하며, 이 페이지에 대한 링크도 허용합니다.

검색결과에 표시되지 않는 내용은 수일내에 자동으로 업데이트 됩니다.

공유링크 :

당사의 고급 검색 기능을 사용하면 제조업체, 부품 번호 및 기타 주요 기준별로

결과를 필터링하여 필요한 정확한 데이터시트를 쉽게 찾을 수 있습니다.