IRLR8103 데이터시트 PDF ( Data sheet )

이 부품은 Power MOSFET ( Transistor )의 기능을 가지고 있습니다.

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번호	부품번호	상세설명 및 전자부품 기능	제조사
1	IRLR8103 International Rectifier	HEXFET Chipset for DC-DC Converters PD - 93838 IRLR8103, IRLRP8D -59308339 IRLR8103, IRLR8503 Provisional Data Sheet N-Channel Application-Specific MOSFETs Ideal for CPU Core DC-DC Converters Low Conduction Losses Low Switching Losses Minimizes Parallel MOSFETs for high current applications HEXFET® Chipset for DC-DC Converters
2	IRLR8103V International Rectifier	N-Channel Application-Specific MOSFETs PD-94021C IRLR8103V N-Channel Application-Specific MOSFETs Ideal for CPU Core DC-DC Converters Low Conduction Losses Low Switching Losses Minimizes Parallel MOSFETs for high current applications G D 100% RG Tested Description This new device employs advanced HEXFET Power MOSFET technology to
3	IRLR8103VPBF International Rectifier	Power MOSFET ( Transistor ) PD - 95093A IRLR8103VPbF N-Channel Application-Specific MOSFETs Ideal for CPU Core DC-DC Converters Low Conduction Losses Low Switching Losses Minimizes Parallel MOSFETs for high current applications D 100% RG Tested Lead-Free Description This new device employs advanced HEXFET Power MOSFET
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부품번호	상세설명	제조업체	PDF
IRL1004	HEXFET Power MOSFET PD - 91702B IRL1004 HEXFET® Power MOSFET Logic-Level Gate Drive Advanced Process Technology l Ultra Low On-Resistance l Dynamic dv, dt Rating l 175°C Operating Temperature l Fast Switching l Fully Avalanche Rated Description l l D VDSS = 40V RDS(on) = 0.0065Ω G ID = 130A S Fifth Generat	International Rectifier
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
IRL1004L	HEXFET Power MOSFET PD - 91644A IRL1004S IRL1004L Logic-Level Gate Drive Advanced Process Technology l Ultra Low On-Resistance l Dynamic dv, dt Rating l 175°C Operating Temperature l Fast Switching l Fully Avalanche Rated Description l l HEXFET® Power MOSFET D VDSS = 40V G S RDS(on) = 0.0065Ω ID = 130A Fift	International Rectifier
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
IRL1004LPBF	(IRL1004SPBF / IRL1004LPBF) HEXFET Power MOSFET PD - 95575 Logic-Level Gate Drive Advanced Process Technology l Ultra Low On-Resistance l Dynamic dv, dt Rating l 175°C Operating Temperature l Fast Switching l Fully Avalanche Rated l Lead-Free Description l l IRL1004SPbF IRL1004LPbF HEXFET® Power MOSFET D VDSS = 40V G S RDS(on) = 0.0065Ω	International Rectifier

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