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| 번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 |
| 1 | IXTM5N100A IXYS Corporation | Standard Power MOSFET Standard Power MOSFET
VDSS IXTH , IXTM 5N100 IXTH , IXTM 5N100A 1000 V 1000 V
ID25 5A 5A
RDS(on) 2.4 Ω 2.0 Ω
N-Channel Enhancement Mode
Symbol VDSS VDGR VGS VGSM ID25 IDM PD TJ TJM T stg Md Weight
Test Conditions TJ = 25°C to 150°C TJ = 25°C to 150°C; RGS = 1 MΩ Continuous Transien |  |
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국내 전자부품 판매점 |
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관련 검색 목록
| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| IXTA02N250 | High Voltage Power MOSFETs High Voltage Power MOSFETs
N-Channel Enhancement Mode Fast Intrinsic Diode
IXTA02N250 IXTH02N250 IXTV02N250S
VDSS = ID25 = ≤RDS(on)
2500V 200mA 450Ω
TO-263 (IXTA)
Symbol
VDSS VDGR
VGSS VGSM
ID25 IDM
PD
TJ TJM Tstg
TL TSOLD Md FC Weight
Test Conditions TJ = 25°C to 150°C TJ = 25°C to 150� |
 IXYS |
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| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| IXTA05N100 | High Voltage MOSFET
High Voltage MOSFET
N-Channel Enhancement Mode Avalanche Energy Rated
IXTA 05N100 VDSS IXTP 05N100 I D25
RDS(on)
= 1000 V = 750 mA = 17 Ω
Symbol VDSS VDGR VGS VGSM ID25 IDM IAR EAR EAS dv, dt PD TJ TJM Tstg Md Weight
Test Conditions TJ = 25°C to 150°C TJ = 25°C to 150°C; RGS = 1 MΩ Co |
IXYS Corporation |
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| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| IXTA08N100D2 | Depletion Mode MOSFET Preliminary Technical Information
Depletion Mode MOSFET
IXTY08N100D2 IXTA08N100D2 IXTP08N100D2
VDSX ID(on)
RDS(on)
= > ≤
1000V 800mA 21Ω
N-Channel
TO-252 (IXTY)
G S
D (Tab)
Symbol VDSX VGSX VGSM PD TJ TJM Tstg TL TSOLD Md Weight
Test Conditions TJ = 25°C to 150°C Continuous Transient |
IXYS |
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