|
|
IXTP102N15T 데이터시트 PDF ( Data sheet )이 부품은 Power MOSFET ( Transistor )의 기능을 가지고 있습니다. |
사이트 이용 방법
|
IXTP102N15T의 핀아웃 및 회로도를 보려면 검색 결과에 있는 PDF 아이콘을 클릭하세요. |
검색 결과 목록
| 번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 |
| 1 | IXTP102N15T IXYS | Power MOSFET ( Transistor ) Trench Gate Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTA102N15T IXTH102N15T IXTP102N15T IXTQ102N15T
TO-263 (IXTA)
TO-247 (IXTH)
TO-220 (IXTP)
VDSS = ID25 =
RDS(on) ≤
150V 102A 18mΩ
TO-3P (IXTQ)
GS
(TAB)
GD S
(TAB)
G DS
(TAB)
G D S
(TAB)
Symbol VDSS VDGR VGSS VGSM I |  |
데이터시트 다운로드
| |||
국내 전자부품 판매점 |
|
디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ |
관련 검색 목록
| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| IXTA02N250 | High Voltage Power MOSFETs High Voltage Power MOSFETs
N-Channel Enhancement Mode Fast Intrinsic Diode
IXTA02N250 IXTH02N250 IXTV02N250S
VDSS = ID25 = ≤RDS(on)
2500V 200mA 450Ω
TO-263 (IXTA)
Symbol
VDSS VDGR
VGSS VGSM
ID25 IDM
PD
TJ TJM Tstg
TL TSOLD Md FC Weight
Test Conditions TJ = 25°C to 150°C TJ = 25°C to 150� |
IXYS |
 |
| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| IXTA05N100 | High Voltage MOSFET
High Voltage MOSFET
N-Channel Enhancement Mode Avalanche Energy Rated
IXTA 05N100 VDSS IXTP 05N100 I D25
RDS(on)
= 1000 V = 750 mA = 17 Ω
Symbol VDSS VDGR VGS VGSM ID25 IDM IAR EAR EAS dv, dt PD TJ TJM Tstg Md Weight
Test Conditions TJ = 25°C to 150°C TJ = 25°C to 150°C; RGS = 1 MΩ Co |
 IXYS Corporation |
|
| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| IXTA08N100D2 | Depletion Mode MOSFET Preliminary Technical Information
Depletion Mode MOSFET
IXTY08N100D2 IXTA08N100D2 IXTP08N100D2
VDSX ID(on)
RDS(on)
= > ≤
1000V 800mA 21Ω
N-Channel
TO-252 (IXTY)
G S
D (Tab)
Symbol VDSX VGSX VGSM PD TJ TJM Tstg TL TSOLD Md Weight
Test Conditions TJ = 25°C to 150°C Continuous Transient |
IXYS |
|
페이지 링크 허용우리는 데이터시트를 무료로 제공하며, 이 페이지에 대한 링크도 허용합니다.검색결과에 표시되지 않는 내용은 수일내에 자동으로 업데이트 됩니다. |
공유링크 :
|
당사의 고급 검색 기능을 사용하면 제조업체, 부품 번호 및 기타 주요 기준별로 |
|
DataSheet.kr | 2020 | 연락처 | 링크모음 | 신규 | 사이트맵 : 1, 2 |