JCS2N60I 데이터시트 PDF ( Data sheet )

이 부품은 N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor의 기능을 가지고 있습니다.

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번호	부품번호	상세설명 및 전자부품 기능	제조사
1	JCS2N60I JILIN SINO-MICROELECTRONICS	N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor R N 道增强型效晶管 JCS2N60 U, I 品特性 ◆600V,RDS=5.0 Ω@VGS=10V ◆低荷(典型 12.5nC) ◆低 Crss(典型 7.6pF) ◆ 速度快 ◆ 品全部雪崩 ◆高抗 dv, dt 能力主要用途 ◆高源 ◆ 子流器 ◆UPS 源述 JCS2N60U, I 是 N 道增强型效晶 �
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부품번호	상세설명	제조업체	PDF
JCS10N60CT	N-CHANNEL MOSFET N 道增强型效晶管 R N-CHANNEL MOSFET JCS10N60T 主要 MAIN CHARACTERISTICS 封 Package ID 9.5 A VDSS 600 V Rdson（@Vgs=10V） 0.75Ω Qg 34 nC 用途 - 高源 - 子流器 - UPS 源 APPLICATIONS - High efficiency switch mode power supplies - Electronic lamp ballasts based on h	JILIN SINO-MICROELECTRONICS
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JCS10N60FT	N-CHANNEL MOSFET N 道增强型效晶管 R N-CHANNEL MOSFET JCS10N60T 主要 MAIN CHARACTERISTICS 封 Package ID 9.5 A VDSS 600 V Rdson（@Vgs=10V） 0.75Ω Qg 34 nC 用途 - 高源 - 子流器 - UPS 源 APPLICATIONS - High efficiency switch mode power supplies - Electronic lamp ballasts based on h	JILIN SINO-MICROELECTRONICS
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
JCS10N60T	N-CHANNEL MOSFET N 道增强型效晶管 R N-CHANNEL MOSFET JCS10N60T 主要 MAIN CHARACTERISTICS 封 Package ID 9.5 A VDSS 600 V Rdson（@Vgs=10V） 0.75Ω Qg 34 nC 用途 - 高源 - 子流器 - UPS 源 APPLICATIONS - High efficiency switch mode power supplies - Electronic lamp ballasts based on h	JILIN SINO-MICROELECTRONICS

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