JDV2S14E 데이터시트 PDF ( Data sheet )

이 부품은 TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type의 기능을 가지고 있습니다.

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번호	부품번호	상세설명 및 전자부품 기능	제조사
1	JDV2S14E Toshiba Semiconductor	TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type JDV2S14E TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type JDV2S14E Useful for VCO, TCXO Small Package High Capacitance Ratio : C1V, C2.5V = 2.15 (typ.) Low Series Resistance : rs = 0.4 Ω (typ.) Maximum Ratings (Ta = 25°C) Characteristics Reverse voltage Junction temperature Storage temperature r
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부품번호	상세설명	제조업체	PDF
JDV2S01E	VCO for UHF band JDV2S01E TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type JDV2S01E VCO for UHF band Unit: mm Small Package High Capacitance Ratio: C1V, C4V = 2.0 (typ.) Low Series Resistance: rs = 0.5 Ω (typ.) · · · Maximum Ratings (Ta = 25°C) Characteristics Reverse voltage Junction temperature Storage tempera	Toshiba Semiconductor
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
JDV2S01S	TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type JDV2S01S TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type JDV2S01S VCO for UHF band Unit in mm High capacitance ratio: C1V, C4V = 2.0 (typ.) Low series resistance: rs = 0.5 Ω (typ.) This device is suitable for use in a small-size tuner. Maximum Ratings (Ta = 25°C) Characteristics Reverse voltage	Toshiba Semiconductor
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
JDV2S02E	VCO for UHF band JDV2S02E TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type JDV2S02E VCO for UHF band Unit: mm Small Package High Capacitance Ratio: C1V, C4V = 2.0 (typ.) Low Series Resistance: rs = 0.60 Ω (typ.) · · · Maximum Ratings (Ta = 25°C) Characteristics Reverse voltage Junction temperature Storage temper	Toshiba Semiconductor

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