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JS29F64G08CAMDB 데이터시트 PDF ( Data sheet )이 부품은 MD332B NAND Flash Memory의 기능을 가지고 있습니다. |
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| 번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 |
| 1 | JS29F64G08CAMDB Intel | MD332B NAND Flash Memory Intel® MD332B NAND Flash Memory
JS29F32G08AAMDB, JS29F64G08CAMDB, JS29F16B08JAMDB
Product Features
Preliminary Datasheet
Open NAND Flash Interface (ONFI) 2.0
Core Voltage (VCC): 2.7 V - 3.6 V
Compliant Multilevel cell (MLC) technology
First block (block address 00h) guaranteed to be valid |  |
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국내 전자부품 판매점 |
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디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ |
관련 검색 목록
| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| JS28F008 | (JS28Fxxx) Advanced Boot Block Flash Memory
Intel® Advanced Boot Block Flash Memory (B3)
28F008, 800B3, 28F016, 160B3, 28F320B3, 28F640B3
Datasheet
Product Features
Flexible SmartVoltage Technology
2.7 V 3.6 V read, program, erase 12 V V PP fast production programming
Intel® Flash Data Integrator Software
Flash Memory Manager Sy |
Intel |
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| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| JS28F00AM29EWHx | 3 V supply flash memory Numonyx™ Axcell™ M29EW Datasheet
256-Mbit, 512-Mbit, 1-Gbit, 2-Gbit (x8, x16, uniform block) 3 V supply flash memory
Features
Supply voltage VCC = 2.7 to 3.6 V for Program, Erase and Read VCCQ = 1.65 to 3.6 V for I, O buffers Asynchronous Random, Page Read Page size: 16 wo |
 Numonyx |
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| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| JS28F00AM29EWLx | 3 V supply flash memory Numonyx™ Axcell™ M29EW Datasheet
256-Mbit, 512-Mbit, 1-Gbit, 2-Gbit (x8, x16, uniform block) 3 V supply flash memory
Features
Supply voltage VCC = 2.7 to 3.6 V for Program, Erase and Read VCCQ = 1.65 to 3.6 V for I, O buffers Asynchronous Random, Page Read Page size: 16 wo |
Numonyx |
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