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번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 |
1 | K2876-01MR Fuji Electric | MOSFET ( Transistor ) - 2SK2876-01MR 2SK2876-01MR
FAP-IIS Series
> Features
High Speed Switching Low On-Resistance No Secondary Breakdown Low Driving Power High Voltage VGS = ± 30V Guarantee Repetitive Avalanche Rated
N-channel MOS-FET
500V
1,5Ω
±6A
30W
> Outline Drawing
> Applications
Switching Regulators UPS DC-DC converter | |
데이터시트 다운로드 |
국내 전자부품 판매점 |
디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ |
부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
K2800 | MOSFET ( Transistor ) - 2SK2800 2SK2800
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
ADE-208-513G (Z) 8th. Edition Jun 1998 Features
Low on-resistance R DS(on) = 15 mΩ typ. High speed switching Low drive current 4V gate drive device can be driven from 5V source
Outline
TO 220AB
D
G
1 2 S 3
1. Gate 2. Drain ( |
Hitachi Semiconductor |
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부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
K2803 | MOSFET ( Transistor ) - 2SK2803 2SK2803
Absolute Maximum Ratings
Symbol VDSS VGSS ID ID (pulse) *1 PD EAS *2 I AS Tch Tstg Ratings 450 ± 30 ±3 ± 12 30 (Tc = 25ºC) 30 3 150 55 to +150
(Ta = 25ºC)
External dimensions 1 ...... FM20
Electrical Characteristics
Symbol V(BR) DSS I GSS I DSS A A W mJ A ºC ºC VTH Re (yfs) RDS (on) |
Sanken |
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부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
K2806-01 | MOSFET ( Transistor ) - 2SK2806-01 2SK2806-01
FAP-IIIB Series
> Features
High Current
N-channel MOS-FET
30V
0,02Ω
35A
30W
> Outline Drawing
Low On-Resistance No Secondary Breakdown Low Driving Power Avalanche Rated
> Applications
- Motor Control - General Purpose Power Amplifier - DC-DC converters
> Maximum Ratings and Cha |
Fuji Electric |
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