K4S64323LH-FG 데이터시트 PDF ( Data sheet )

이 부품은 512K x 32Bit x 4 Banks Mobile SDRAM의 기능을 가지고 있습니다.

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번호	부품번호	상세설명 및 전자부품 기능	제조사
1	K4S64323LH-FG Samsung semiconductor	512K x 32Bit x 4 Banks Mobile SDRAM K4S64323LH - F(H)E, N, G, C, L, F 512K x 32Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 90FBGA FEATURES 2.5V power supply. LVCMOS compatible with multiplexed address. Four banks operation. MRS cycle with address key programs. -. CAS latency (1, 2 & 3). -. Burst length (1, 2, 4, 8 & Full page). -. Burst type (S
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부품번호	상세설명	제조업체	PDF
K4S160822D	2Mx8 SDRAM 1M x 8bit x 2 Banks Synchronous DRAM LVTTL K4S160822D CMOS SDRAM 2Mx8 SDRAM 1M x 8bit x 2 Banks Synchronous DRAM LVTTL Revision 1.0 October 1999 Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice. -1- Rev. 1.0 (Oct. 1999) K4S160822D Revision History Revision 1.0 (October 1999) CMOS SDRAM -2- R	Samsung semiconductor
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
K4S161622D	512K x 16Bit x 2 Banks Synchronous DRAM K4S161622D 512K x 16Bit x 2 Banks Synchronous DRAM FEATURES 3.3V power supply LVTTL compatible with multiplexed address Dual banks operation MRS cycle with address key programs -. CAS Latency ( 2 & 3) -. Burst Length (1, 2, 4, 8 & full page) -. Burst Type (Sequential & Interleave) All inputs are	Samsung semiconductor
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
K4S161622E	1M x 16 SDRAM K4S161622E CMOS SDRAM 1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2 Banks Synchronous DRAM LVTTL Revision 1.1 Jan 2003 Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice. Rev 1.1 Jan '03 K4S161622E 512K x 16Bit x 2 Banks Synchronous DRAM FEATURES 3.3V power supply L	Samsung semiconductor

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