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K6T4016U3C 데이터시트 PDF ( Data sheet )

이 부품은 256Kx16 bit Low Power and Low Voltage CMOS Static RAM의 기능을 가지고 있습니다.

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번호 부품번호 상세설명 및 전자부품 기능 제조사
1K6T4016U3C

Samsung semiconductor
256Kx16 bit Low Power and Low Voltage CMOS Static RAM

K6T4016V3C, K6T4016U3C Family Document Title 256Kx16 bit Low Power and Low Voltage CMOS Static RAM CMOS SRAM Revision History Revision No 0.0 0.1 History Initial draft Revise - Speed bin change Commercial: 70, 85ns to 70, 85, 100ns Industrial: 85, 100ns to 70, 85, 100ns - DC Characteristics chang
Samsung semiconductor
2K6T4016U3C-B

Samsung semiconductor
256Kx16 bit Low Power and Low Voltage CMOS Static RAM

K6T4016V3C, K6T4016U3C Family Document Title 256Kx16 bit Low Power and Low Voltage CMOS Static RAM CMOS SRAM Revision History Revision No 0.0 0.1 History Initial draft Revise - Speed bin change Commercial: 70, 85ns to 70, 85, 100ns Industrial: 85, 100ns to 70, 85, 100ns - DC Characteristics chang
Samsung semiconductor
3K6T4016U3C-F

Samsung semiconductor
256Kx16 bit Low Power and Low Voltage CMOS Static RAM

K6T4016V3C, K6T4016U3C Family Document Title 256Kx16 bit Low Power and Low Voltage CMOS Static RAM CMOS SRAM Revision History Revision No 0.0 0.1 History Initial draft Revise - Speed bin change Commercial: 70, 85ns to 70, 85, 100ns Industrial: 85, 100ns to 70, 85, 100ns - DC Characteristics chang
Samsung semiconductor
4K6T4016U3C-RB10

Samsung semiconductor
256Kx16 bit Low Power and Low Voltage CMOS Static RAM

K6T4016V3C, K6T4016U3C Family Document Title 256Kx16 bit Low Power and Low Voltage CMOS Static RAM CMOS SRAM Revision History Revision No 0.0 0.1 History Initial draft Revise - Speed bin change Commercial: 70, 85ns to 70, 85, 100ns Industrial: 85, 100ns to 70, 85, 100ns - DC Characteristics chang
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부품번호 상세설명 제조업체 PDF
K6T0808C1D 32Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM

K6T0808C1D Family Document Title 32Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM CMOS SRAM Revision History Revision No History 0.0 0.1 Initial draft First revision - KM62256DL, DLI ISB1 = 100 → 50 A KM62256DL-L ISB1 = 20 → 10 A KM62256DLI-L ISB1 = 50 → 15 A - CIN = 6 → 8pF, CIO = 8 → 10pF - KM62256
Samsung semiconductor
Samsung semiconductor
datasheet K6T0808C1D pdf
부품번호 상세설명 제조업체 PDF
K6T0808C1D-B 32Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM

K6T0808C1D Family Document Title 32Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM CMOS SRAM Revision History Revision No History 0.0 0.1 Initial draft First revision - KM62256DL, DLI ISB1 = 100 → 50 A KM62256DL-L ISB1 = 20 → 10 A KM62256DLI-L ISB1 = 50 → 15 A - CIN = 6 → 8pF, CIO = 8 → 10pF - KM62256
Samsung semiconductor
Samsung semiconductor
datasheet K6T0808C1D-B pdf
부품번호 상세설명 제조업체 PDF
K6T0808C1D-DB55 32Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM

K6T0808C1D Family Document Title 32Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM CMOS SRAM Revision History Revision No History 0.0 0.1 Initial draft First revision - KM62256DL, DLI ISB1 = 100 → 50 A KM62256DL-L ISB1 = 20 → 10 A KM62256DLI-L ISB1 = 50 → 15 A - CIN = 6 → 8pF, CIO = 8 → 10pF - KM62256
Samsung semiconductor
Samsung semiconductor
datasheet K6T0808C1D-DB55 pdf

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