K7M323625M 데이터시트 PDF ( Data sheet )

이 부품은 1Mx36 & 2Mx18 Flow-Through NtRAM의 기능을 가지고 있습니다.

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번호	부품번호	상세설명 및 전자부품 기능	제조사
1	K7M323625M Samsung semiconductor	1Mx36 & 2Mx18 Flow-Through NtRAM K7M323625M K7M321825M Document Title 1Mx36 & 2Mx18 Flow-Through NtRAMTM 1Mx36 & 2Mx18-Bit Flow Through N tRAMTM Revision History Rev. No. 0.0 0.1 0.2 0.3 History 1. Initial document. 1. Add 165FBGA package 1. Update JTAG scan order 1. Change pin out for 165FBGA - x18, x36 ; 11B => from A to NC ,
2	K7M323625M-QC75 Samsung semiconductor	1Mx36 & 2Mx18 Flow-Through NtRAM K7M323625M K7M321825M Document Title 1Mx36 & 2Mx18 Flow-Through NtRAMTM 1Mx36 & 2Mx18-Bit Flow Through N tRAMTM Revision History Rev. No. 0.0 0.1 0.2 0.3 History 1. Initial document. 1. Add 165FBGA package 1. Update JTAG scan order 1. Change pin out for 165FBGA - x18, x36 ; 11B => from A to NC ,
3	K7M323625M-QC75 Samsung semiconductor	1Mx36 & 2Mx18-Bit Pipelined NtRAM K7M323625M K7M321825M Document Title 1Mx36 & 2Mx18 Flow-Through NtRAMTM 1Mx36 & 2Mx18-Bit Flow Through N tRAMTM Revision History Rev. No. 0.0 0.1 0.2 0.3 History 1. Initial document. 1. Add 165FBGA package 1. Update JTAG scan order 1. Change pin out for 165FBGA - x18, x36 ; 11B => from A to NC ,
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부품번호	상세설명	제조업체	PDF
K7M161825A-QCI65	512Kx36 & 1Mx18 Pipelined NtRAM K7I323682M K7I321882M Document Title 1Mx36-bit, 2Mx18-bit DDRII CIO b2 SRAM 1Mx36 & 2Mx18 DDRII CIO b2 SRAM Revision History Rev. No. 0.0 0.1 History 1. Initial document. 1. Pin name change from DLL to Doff. 2. Vddq range change from 1.5V to 1.5V~1.8V. 3. Update JTAG test conditions. 4. Reserved p	Samsung semiconductor
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
K7M161825A-QCI75	512Kx36 & 1Mx18 Pipelined NtRAM	Samsung semiconductor
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
K7M161825M	(K7M161825M / K7M163625M) 512Kx36 & 1Mx18 Flow-Through NtRAM-TM ( t : ) K7M163625M K7M161825M Document Title 512Kx36 & 1Mx18 Flow-Through Nt RAM TM 512Kx36 & 1Mx18-Bit Flow Through Nt RAMTM Revision History Rev. No. 0.0 0.1 0.2 History 1. Initial document. 1. Update ICC & ISB values. 1. Change tOE from 3.5ns to 4.0ns at -8 . 2. Change tOE from 3.5ns to 4.0n	Samsung semiconductor

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