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K9K2G16Q0M 데이터시트 PDF ( Data sheet )

이 부품은 256M x 8 Bit / 128M x 16 Bit NAND Flash Memory의 기능을 가지고 있습니다.

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번호 부품번호 상세설명 및 전자부품 기능 제조사
1K9K2G16Q0M

Samsung
256M x 8 Bit / 128M x 16 Bit NAND Flash Memory

K9W4G08U1M K9K2G08Q0M K9K2G08U0M K9W4G16U1M K9K2G16Q0M K9K2G16U0M FLASH MEMORY Document Title 256M x 8 Bit , 128M x 16 Bit NAND Flash Memory Revision History Revision No 0.0 0.1 History 1. Initial issue 1. IOL(R, B) of 1.8V device is changed. -min. Value: 7mA -->3mA -typ. Value: 8mA -->4mA Dra
Samsung
2K9K2G16Q0M-P

Samsung
256M x 8 Bit / 128M x 16 Bit NAND Flash Memory

K9W4G08U1M K9K2G08Q0M K9K2G08U0M K9W4G16U1M K9K2G16Q0M K9K2G16U0M FLASH MEMORY Document Title 256M x 8 Bit , 128M x 16 Bit NAND Flash Memory Revision History Revision No 0.0 0.1 History 1. Initial issue 1. IOL(R, B) of 1.8V device is changed. -min. Value: 7mA -->3mA -typ. Value: 8mA -->4mA Dra
Samsung
3K9K2G16Q0M-PCB0

Samsung
256M x 8 Bit / 128M x 16 Bit NAND Flash Memory

K9K2G08U0M-VCB0,VIB0,FCB0,FIB0 K9K2G08Q0M-YCB0,YIB0,PCB0,PIB0 K9K2G08U0M-YCB0,YIB0,PCB0,PIB0 K9K2G16Q0M-YCB0,YIB0,PCB0,PIB0 K9K2G16U0M-YCB0,YIB0,PCB0,PIB0 FLASH MEMORY Document Title 256M x 8 Bit , 128M x 16 Bit NAND Flash Memory Revision History Revision No 0.0 0.1 History 1. Initial issue 1.
Samsung
4K9K2G16Q0M-PIB0

Samsung
256M x 8 Bit / 128M x 16 Bit NAND Flash Memory

K9K2G08U0M-VCB0,VIB0,FCB0,FIB0 K9K2G08Q0M-YCB0,YIB0,PCB0,PIB0 K9K2G08U0M-YCB0,YIB0,PCB0,PIB0 K9K2G16Q0M-YCB0,YIB0,PCB0,PIB0 K9K2G16U0M-YCB0,YIB0,PCB0,PIB0 FLASH MEMORY Document Title 256M x 8 Bit , 128M x 16 Bit NAND Flash Memory Revision History Revision No 0.0 0.1 History 1. Initial issue 1.
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K9F8008W0M-TCB0, K9F8008W0M-TIB0 Document Title 1M x 8 bit NAND Flash Memory FLASH MEMORY Revision History Revision No. 0.0 1.0 History Data Sheet 1997 Data Sheet 1998 1. Changed tBERS parameter : 5ms(Typ.) → 2ms(Typ.) 10ms(Max.) → 4ms(Max.) 2. Changed tPROG parameter : 1.5ms(Max.) → 1.0ms(
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K9K1208Q0C K9K1208D0C K9K1208U0C K9K1216Q0C K9K1216D0C K9K1216U0C FLASH MEMORY Document Title 64M x 8 Bit , 32M x 16 Bit NAND Flash Memory Revision History Revision No. History 0.0 1.0 Initial issue. 1.Pin assignment of TBGA dummy ball is changed. (before) DNU --> (after) N.C 2. Add the Rp vs tr
Samsung semiconductor
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datasheet K9K1208Q0C pdf
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K9K1208U0A-YCB0 64M x 8 Bit NAND Flash Memory

K9K1208U0A-YCB0, K9K1208U0A-YIB0 Document Title 64M x 8 Bit NAND Flash Memory Revision History Revision No 0.0 FLASH MEMORY History 1. Initial issue - Changed , SE(pin # 6, Spare Area Enable) pin to N.C ( No Connection). So, , SE pin is don’ t-cared regardless of external logic input level and i
Samsung semiconductor
Samsung semiconductor
datasheet K9K1208U0A-YCB0 pdf

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