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| 번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 |
| 1 | K9KAG08U1M Samsung Electronics | FLASH MEMORY K9KAG08U1M K9F8G08U0M K9F8G08B0M
FLASH MEMORY
K9F8G08UXM
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관련 검색 목록
| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| K9K1208D0C | 64M x 8 Bit / 32M x 16 Bit NAND Flash Memory K9F8008W0M-TCB0, K9F8008W0M-TIB0
Document Title
1M x 8 bit NAND Flash Memory
FLASH MEMORY
Revision History
Revision No.
0.0 1.0
History
Data Sheet 1997 Data Sheet 1998 1. Changed tBERS parameter : 5ms(Typ.) → 2ms(Typ.) 10ms(Max.) → 4ms(Max.) 2. Changed tPROG parameter : 1.5ms(Max.) → 1.0ms( |
 Samsung semiconductor |
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| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| K9K1208Q0C | 64M x 8 Bit / 32M x 16 Bit NAND Flash Memory K9K1208Q0C K9K1208D0C K9K1208U0C
K9K1216Q0C K9K1216D0C K9K1216U0C
FLASH MEMORY
Document Title
64M x 8 Bit , 32M x 16 Bit NAND Flash Memory
Revision History
Revision No. History
0.0 1.0 Initial issue. 1.Pin assignment of TBGA dummy ball is changed. (before) DNU --> (after) N.C 2. Add the Rp vs tr |
Samsung semiconductor |
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| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| K9K1208U0A-YCB0 | 64M x 8 Bit NAND Flash Memory K9K1208U0A-YCB0, K9K1208U0A-YIB0
Document Title 64M x 8 Bit NAND Flash Memory Revision History
Revision No
0.0
FLASH MEMORY
History
1. Initial issue - Changed , SE(pin # 6, Spare Area Enable) pin to N.C ( No Connection). So, , SE pin is don’ t-cared regardless of external logic input level and i |
Samsung semiconductor |
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