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KDR367 데이터시트 PDF ( Data sheet )이 부품은 SCHOTTKY BARRIER TYPE DIODE의 기능을 가지고 있습니다. |
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| 번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 |
| 1 | KDR367 KEC(Korea Electronics) | SCHOTTKY BARRIER TYPE DIODE(LOW VOLTAGE HIGH SPEED SWITCHING) SEMICONDUCTOR
TECHNICAL DATA
LOW VOLTAGE HIGH SPEED SWITCHING. FEATURES
Low Forward Voltage : VF(2)=0.23V (Typ.) Small Package : USC.
CATHODE MARK
B 1
KDR367
SCHOTTKY BARRIER TYPE DIODE
G
K
E
A
H
2 D
J C I
MAXIMUM RATING (Ta=25
CHARACTERISTIC Maximum (Peak) Reverse Voltage Reverse Voltage M | .gif){kind=small} |
| 2 | KDR367E KEC | SCHOTTKY BARRIER TYPE DIODE SEMICONDUCTOR
TECHNICAL DATA
LOW VOLTAGE HIGH SPEED SWITCHING.
FEATURES Low Forward Voltage : VF(2)=0.23V (Typ.) Small Package : ESC.
MAXIMUM RATING (Ta=25 )
CHARACTERISTIC
SYMBOL RATING
Maximum (Peak) Reverse Voltage Reverse Voltage
VRM VR
15 10
Maximum (Peak) Forward Current
IFM 200
Avera |  |
| 3 | KDR367E KEC(Korea Electronics) | SCHOTTKY BARRIER TYPE DIODE(LOW VOLTAGE HIGH SPEED SWITCHING) SEMICONDUCTOR
TECHNICAL DATA
LOW VOLTAGE HIGH SPEED SWITCHING. FEATURES
Small Package : ESC.
CATHODE MARK
KDR367E
SCHOTTKY BARRIER TYPE DIODE
Low Forward Voltage : VF(2)=0.23V (Typ.)
C 1
E
2
MAXIMUM RATING (Ta=25
CHARACTERISTIC Maximum (Peak) Reverse Voltage Reverse Voltage Maximum (Peak) Forw | |
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국내 전자부품 판매점 |
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디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ |
관련 검색 목록
| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| KDR105 | SCHOTTKY BARRIER TYPE DIODE(HIGH FREQUENCY RECTIFICATION) SEMICONDUCTOR
TECHNICAL DATA
High frequency rectification (Switching regulators, converters, choppers)
E M B
KDR105
SCHOTTKY BARRIER TYPE DIODE
M D 3
FEATURES
A
Low Forward Voltage : VF max=0.55V. Low Leakage Current : IR max=10 A.
2
J
1
C
CHARACTERISTIC Repetitive Peak Reverse Voltage Rever |
KEC(Korea Electronics) |
 |
| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| KDR105S | SCHOTTKY BARRIER TYPE DIODE(HIGH FREQUENCY RECTIFICATION) SEMICONDUCTOR
TECHNICAL DATA
High frequency rectification (Switching regulators, converters, choppers)
L
KDR105S
SCHOTTKY BARRIER TYPE DIODE
E B
L
FEATURES
Low Forward Voltage : VF max=0.55V.
A G
DIM A
2
H D
MILLIMETERS _ 0.20 2.93 +
1.30+0.20, -0.15 1.30 MAX 0.45+0.15, -0.05 2.40+0.30, -0.20 |
KEC(Korea Electronics) |
|
| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| KDR322 | SILICON EPITAXIAL SCHOTTKY BARRIER TYPE DIODE SEMICONDUCTOR
TECHNICAL DATA
LOW VOLTAGE HIGH SPEED SWITCHING.
FEATURES Low Forward Voltage : VF=0.54V (Typ.). Low Reverse Current : IR=5 A (Max.). Small Package : USM.
MAXIMUM RATING (Ta=25 ) CHARACTERISTIC
Maximum (Peak) Reverse Voltage Reverse Voltage Maximum (Peak) Forward Current Average Forwa |
KEC |
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