LET9002 데이터시트 PDF ( Data sheet )

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번호	부품번호	상세설명 및 전자부품 기능	제조사
1	LET9002 ST 마이크로일렉트로닉스	RF POWER TRANSISTORS Ldmos Enhanced Technology in Plastic Package LET9002 RF POWER TRANSISTORS Ldmos Enhanced Technology in Plastic Package TARGET DATA N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE LATERAL MOSFETs EXCELLENT THERMAL STABILITY COMMON SOURCE CONFIGURATION POUT = 2 W with 17 dB gain @ 960 MH- , 26 V NEW LEADLESS PLASTIC PACKAGE ESD PROTECTION SUPPLIED IN TAPE &
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부품번호	상세설명	제조업체	PDF
LET16045C	RF power transistor LET16045C RF power transistor from the LdmoST family of n-channel enhancement-mode lateral MOSFETs Datasheet - production data M243 epoxy sealed Figure 1. Pin out 1 3 Features Excellent thermal stability Common source configuration POUT (@28 V) = 45 W with 16 dB gain @ 1600 MHz BeO free packa	STMicroelectronics
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
LET19060C	RF POWER TRANSISTORS Ldmos Enhanced Technology LET19060C RF POWER TRANSISTORS Ldmos Enhanced Technology TARGET DATA N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE LATERAL MOSFETs IS-97 CDMA PERFORMANCES POUT = 7.5 W EFF. = 18 % EDGE PERFORMANCES POUT = 30 W EFF. = 25 % GSM PERFORMANCES POUT = 65 W EFF. = 45 % EXCELLENT THERMAL STABILITY BeO FREE PACKAGE INTE	STMicroelectronics
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
LET20015	RF POWER TRANSISTORS Ldmos Enhanced Technology in Plastic Package LET20015 RF POWER TRANSISTORS Ldmos Enhanced Technology in Plastic Package TARGET DATA Designed for GSM , EDGE , IS-97 applications EXCELLENT THERMAL STABILITY COMMON SOURCE CONFIGURATION POUT = 15 W with 11 dB gain @ 2000 MH- ESD PROTECTION IS-97 CDMA PERFORMANCES POUT = 2.5 W EFF. = 20 % D	STMicroelectronics

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