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MJ10008 데이터시트 PDF ( Data sheet )이 부품은 Diode ( Rectifier )의 기능을 가지고 있습니다. |
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번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 |
1 | MJ10008 American Microsemiconductor | Diode ( Rectifier ) | ![]() |
2 | MJ10008 Mospec Semiconductor | POWER TRANSISTORS(20A/400-500V/175W) A
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3 | MJ10008 Boca Semiconductor Corporation | SWITCHMODE SERIES NPN SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS WITH BASE-EMITTER SPEEDUP DIODE | ![]() |
4 | MJ10008 New Jersey Semiconductor | Trans Darlington NPN 450V 30A 3-Pin(2+Tab) TO-3 | ![]() |
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국내 전자부품 판매점 |
디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ |
부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
MJ1000 | Medium-Power Complementary Silicon Transistors MOTOROLA
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
Order this document by MJ1000, D
Medium-Power Complementary Silicon Transistors
. . . for use as output devices in complementary general purpose amplifier applications. High DC Current Gain hFE = 6000 (Typ) @ IC = 3.0 Adc Monolithic Construction with Built |
![]() Motorola Inc |
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부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
MJ1000 | (MJ1000 / MJ1001) SILICON POWER TRANSISTOR SavantIC Semiconductor
Product Specification
Silicon NPN Power Transistors
MJ1000, 1001
DESCRIPTION ·With TO-3 package ·DARLINGTON ·High DC current gain ·Complement to type MJ900, 901 APPLICATIONS ·For use as output devices in complementary general purpose amplifier applications PINNING(s |
![]() SavantIC |
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부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
MJ1000 | (MJ1000 / MJ1001) Complementary Power Darlingtons NPN MJ1000 MJ1001 COMPLEMENTARY POWER DARLINGTONS
The MJ1000, MJ1001 are silicon epitaxial-bas transistors in monolithic Darlington configuration, and are mounted in JEDEC TO-3 metal case. They are intended for use in power linear and switching applications. Their complementary PNP types are the MJ |
![]() Comset Semiconductors |
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