MJ11032 데이터시트 PDF ( Data sheet )

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번호	부품번호	상세설명 및 전자부품 기능	제조사
1	MJ11032 Wing Shing Computer Components	NPN SILICON DARLINGTON TRANSISTOR(SWITCHING REGULATORS PWM INVERTERS SOLENOID AND RELAY DRIVERS) MJ11032 NPN SILICON DARLINGTON TRANSISTOR SWITCHING REGULATORS PWM INVERTERS SOLENOID AND RELAY DRIVERS TO-3 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25°C) Characteristic Collector-Base Voltage Collector-Emitter Voltage Collector Current (DC) Collector Dissipation (Tc=25°C) Junction Temperature Storage T
2	MJ11032 Motorola Semiconductors	50 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS 60.120 VOLTS 300 WATTS MOTOROLA SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA Order this document by MJ11028, D High-Current Complementary Silicon Transistors . . . for use as output devices in complementary general purpose amplifier applications. High DC Current Gain hFE = 1000 (Min) @ IC = 25 Adc hFE = 400 (Min) @ IC = 50 Adc Curv
3	MJ11032 ON	COMPLEMENTARY SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS MJ11028, MJ11030, MJ11032 (NPN) MJ11029, MJ11033 (PNP) High Current Complementary Silicon Power Transistors High Current Complementary Silicon Power Transistors are for use as output devices in complementary general purpose amplifier applications. Features http:, , onsemi.com High DC Current Ga
4	MJ11032 Seme LAB	COMPLEMENTARY DARLINGTON POWER TRANSISTOR NPN PNP MJ11029 MJ11031 MJ11033 LAB MECHANICAL DATA Dimensions in mm (inches) 25.4 (1.0) 10.92 (0.430) 1.57 (0.062) SEME MJ11028 MJ11030 MJ11032 COMPLEMENTARY DARLINGTON POWER TRANSISTOR FEATURES 30 .15 (1.187 ) 1 1 6 .89 (0.665) 2 HIGH DC CURRENT GAIN HFE = 1000 Min @ IC = 25A HFE = 400 M
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부품번호	상세설명	제조업체	PDF
MJ1000	Medium-Power Complementary Silicon Transistors MOTOROLA SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA Order this document by MJ1000, D Medium-Power Complementary Silicon Transistors . . . for use as output devices in complementary general purpose amplifier applications. High DC Current Gain hFE = 6000 (Typ) @ IC = 3.0 Adc Monolithic Construction with Built	Motorola Inc
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
MJ1000	(MJ1000 / MJ1001) SILICON POWER TRANSISTOR SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors MJ1000, 1001 DESCRIPTION ·With TO-3 package ·DARLINGTON ·High DC current gain ·Complement to type MJ900, 901 APPLICATIONS ·For use as output devices in complementary general purpose amplifier applications PINNING(s	SavantIC
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
MJ1000	(MJ1000 / MJ1001) Complementary Power Darlingtons NPN MJ1000 MJ1001 COMPLEMENTARY POWER DARLINGTONS The MJ1000, MJ1001 are silicon epitaxial-bas transistors in monolithic Darlington configuration, and are mounted in JEDEC TO-3 metal case. They are intended for use in power linear and switching applications. Their complementary PNP types are the MJ	Comset Semiconductors

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