MJD29 데이터시트 PDF ( Data sheet )

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번호	부품번호	상세설명 및 전자부품 기능	제조사
1	MJD29 Fairchild	General Purpose Amplifier Low Speed Switching Applications MJD29, 29C MJD29, 29C General Purpose Amplifier Low Speed Switching Applications Load Formed for Surface Mount Application (No Suffix) Straight Lead (I-PAK, “- I” Suffix) Electrically Similar to Popular TIP29 and TIP29C 1 D-PAK 1.Base 1 I-PAK 3.Emitter 2.Collector NPN Epitaxial Silicon
2	MJD2955 Inchange Semiconductor	Silicon PNP Power Transistor isc Silicon PNP Power Transistor INCHANGE Semiconductor MJD2955 DESCRIPTION ·Excellent Safe Operating Area ·Collector-Emitter Saturation Voltage- : VCE(sat)= -1.1 V(Max)@ IC = -4A ·Complement to Type MJD3055 ·DPAK for Surface Mount Applications ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
3	MJD2955 ON	Complementary Power Transistors MJD2955 (PNP) MJD3055 (NPN) Complementary Power Transistors DPAK For Surface Mount Applications http:, , onsemi.com Designed for general purpose amplifier and low speed switching applications. Features Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves (No Suffix) Straight Le
4	MJD2955 ST Microelectronics	COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS MJD2955 ® MJD3055 COMPLEMENTARY POWER TRANSISTORS s STMicroelectronics PREFERRED SALESTYPES s SURFACE-MOUNTING TO-252 (DPAK) POWER PACKAGE IN TAPE & REEL (SUFFIX "T4") s ELECTRICALLY SIMILAR TO MJE2955T AND MJE3055T APPLICATIONS s GENERAL PURPOSE SWITCHING AND AMPLIFIER DESCRIPTION The MJD2955 an
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MJD112	Silicon NPN transistor MJD112 Rev.E May.-2016 DATA SHEET 描述 , Descriptions TO-252 塑封封 NPN 半三管。Silicon NPN transistor in a TO-252 Plastic Package. 特征 , Features 直流流增益高，E C 置阻尼二管性能 TIP112 等同。 High DC current gain, built-in a damper diode at E-C,electri	BLUE ROCKET ELECTRONICS
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MJD112	Silicon NPN epitaxial planer Transistors MCC TM Micro Commercial Components omponents 20736 Marilla Street Chatsworth !"# $ % !"# MJD112 Features Lead Free Finish, RoHS Compliant("P" Suffix designates RoHS Compliant. See ordering information) Case Material:Molded Plastic. U	MCC
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MJD112	Silicon NPN Power Transistor INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Darlington Power Transistor MJD112 DESCRIPTION ·High DC current gain ·Lead formed for surface mount applications(NO suffix) ·Straight lead(IPAK,“－I”suffix) ·Built-in a damper diode at E-C ·100% avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for	Inchange Semiconductor

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