MJD42 데이터시트 PDF ( Data sheet )

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1	MJD42 Fairchild	General Purpose Amplifier MJD42C MJD42C General Purpose Amplifier Low Speed Switching Applications Load Formed for Surface Mount Application (No Suffix) Straight Lead (I-PAK, “- I” Suffix) Electrically Similar to Popular TIP42C 1 D-PAK 1.Base 1 I-PAK 3.Emitter 2.Collector PNP Epitaxial Silicon Transistor Absolut
2	MJD42C Inchange Semiconductor	Silicon PNP Power Transistor isc Silicon PNP Power Transistors INCHANGE Semiconductor MJD42C DESCRIPTION ·DC Current Gain -hFE = 30(Min)@ IC= -0.3A ·Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS) = -100V(Min) ·Complement to Type MJD41C ·DPAK for Surface Mount Applications ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust devi
3	MJD42C Kexin	Complementary Power Transistors SMD Type Transistors Complementary Power Transistors MJD41C(NPN) MJD42C(PNP) Features Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves Monolithic Construction With Built in Base Emitter Resistors Pb-Free Packages are Available +09.70 .2 -0.2 TO-252 6.50+0.15 -0.15 5.30+0.2 -0.2
4	MJD42C Fairchild	General Purpose Amplifier MJD42C MJD42C General Purpose Amplifier Low Speed Switching Applications Load Formed for Surface Mount Application (No Suffix) Straight Lead (I-PAK, “- I” Suffix) Electrically Similar to Popular TIP42C 1 D-PAK 1.Base 1 I-PAK 3.Emitter 2.Collector PNP Epitaxial Silicon Transistor Absolut
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부품번호	상세설명	제조업체	PDF
MJD112	Silicon NPN transistor MJD112 Rev.E May.-2016 DATA SHEET 描述 , Descriptions TO-252 塑封封 NPN 半三管。Silicon NPN transistor in a TO-252 Plastic Package. 特征 , Features 直流流增益高，E C 置阻尼二管性能 TIP112 等同。 High DC current gain, built-in a damper diode at E-C,electri	BLUE ROCKET ELECTRONICS
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MJD112	Silicon NPN epitaxial planer Transistors MCC TM Micro Commercial Components omponents 20736 Marilla Street Chatsworth !"# $ % !"# MJD112 Features Lead Free Finish, RoHS Compliant("P" Suffix designates RoHS Compliant. See ordering information) Case Material:Molded Plastic. U	MCC
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
MJD112	Silicon NPN Power Transistor INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Darlington Power Transistor MJD112 DESCRIPTION ·High DC current gain ·Lead formed for surface mount applications(NO suffix) ·Straight lead(IPAK,“－I”suffix) ·Built-in a damper diode at E-C ·100% avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for	Inchange Semiconductor

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