MT45W2MW16B 데이터시트 PDF ( Data sheet )

이 부품은 (MT45W2MW16BFB / MT45W4MW16BFB) Burst Cellularram Memory의 기능을 가지고 있습니다.

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번호	부품번호	상세설명 및 전자부품 기능	제조사
1	MT45W2MW16B Micron Semiconductor	(MT45W2MW16B / MT45W4MW16B) Burst Cellularram Memory ADVANCE‡ 4 MEG x 16, 2 MEG x 16 ASYNC, PAGE, BURST CellularRAM MEMORY BURST CellularRAMTM Features Single device supports asynchronous, page, and burst operations VCC, VCCQ Voltages 1.70V 1.95V VCC 1.70V 2.25V VCCQ (Option W) Random Access Time: 70ns Burst Mode Write Access Continuous burs
2	MT45W2MW16BFB Micron Semiconductor	(MT45W2MW16BFB / MT45W4MW16BFB) Burst Cellularram Memory ADVANCE‡ 4 MEG x 16, 2 MEG x 16 ASYNC, PAGE, BURST CellularRAM MEMORY BURST CellularRAMTM Features Single device supports asynchronous, page, and burst operations VCC, VCCQ Voltages 1.70V 1.95V VCC 1.70V 2.25V VCCQ (Option W) Random Access Time: 70ns Burst Mode Write Access Continuous burs
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부품번호	상세설명	제조업체	PDF
MT400	Diode ( Rectifier )	American Microsemiconductor
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
MT40A1G4	DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM MT40A1G4 MT40A512M8 MT40A256M16 Features VDD = VDDQ = 1.2V ±60mV VPP = 2.5V, 125mV, +250mV On-die, internal, adjustable VREFDQ generation 1.2V pseudo open-drain I, O TC maximum up to 95°C 64ms, 8192-cycle refresh up to 85°C 32ms, 8192-cycle refresh at >85°C to 95°C 16 intern	Micron
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
MT40A256M16	DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM MT40A1G4 MT40A512M8 MT40A256M16 Features VDD = VDDQ = 1.2V ±60mV VPP = 2.5V, 125mV, +250mV On-die, internal, adjustable VREFDQ generation 1.2V pseudo open-drain I, O TC maximum up to 95°C 64ms, 8192-cycle refresh up to 85°C 32ms, 8192-cycle refresh at >85°C to 95°C 16 intern	Micron

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