MT4C4M4E8 데이터시트 PDF ( Data sheet )

이 부품은 4 MEG x 4 EDO DRAM의 기능을 가지고 있습니다.

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번호	부품번호	상세설명 및 전자부품 기능	제조사
1	MT4C4M4E8 Micron Technology	4 MEG x 4 EDO DRAM TECHNOLOGY, INC. 4 MEG x 4 EDO DRAM MT4LC4M4E8, MT4C4M4E8 MT4LC4M4E9, MT4C4M4E9 DRAM FEATURES Industry-standard x4 pinout, timing, functions and packages State-of-the-art, high-performance, low-power CMOS silicon-gate process Single power supply (+3.3V ±0.3V or +5V ±10%) All inputs, outputs
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부품번호	상세설명	제조업체	PDF
MT400	Diode ( Rectifier )	American Microsemiconductor
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
MT40A1G4	DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM MT40A1G4 MT40A512M8 MT40A256M16 Features VDD = VDDQ = 1.2V ±60mV VPP = 2.5V, 125mV, +250mV On-die, internal, adjustable VREFDQ generation 1.2V pseudo open-drain I, O TC maximum up to 95°C 64ms, 8192-cycle refresh up to 85°C 32ms, 8192-cycle refresh at >85°C to 95°C 16 intern	Micron
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
MT40A256M16	DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM MT40A1G4 MT40A512M8 MT40A256M16 Features VDD = VDDQ = 1.2V ±60mV VPP = 2.5V, 125mV, +250mV On-die, internal, adjustable VREFDQ generation 1.2V pseudo open-drain I, O TC maximum up to 95°C 64ms, 8192-cycle refresh up to 85°C 32ms, 8192-cycle refresh at >85°C to 95°C 16 intern	Micron

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