MTD20P03HDL 데이터시트 PDF ( Data sheet )

이 부품은 TMOS POWER FET LOGIC LEVEL 19 AMPERES 30 VOLTS RDS(on) = 0.099 OHM의 기능을 가지고 있습니다.

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1	MTD20P03HDL Motorola Semiconductors	TMOS POWER FET LOGIC LEVEL 19 AMPERES 30 VOLTS RDS(on) = 0.099 OHM MOTOROLA SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA Order this document by MTD20P03HDL, D ™ Data Sheet HDTMOS E-FET.™ High Density Power FET DPAK for Surface Mount Designer's MTD20P03HDL Motorola Preferred Device P Channel Enhancement Mode Silicon Gate This advanced HDTMOS power FET is designed to withst
2	MTD20P03HDL 온세미컨덕터 반도체	Power MOSFET ( Transistor ) MTD20P03HDL Preferred Device Power MOSFET 20 Amps, 30 Volts, Logic Level P Channel DPAK This Power MOSFET is designed to withstand high energy in the avalanche and commutation modes. This energy efficient design also offers a drain to source diode with a fast recovery time. Designed for low voltag
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부품번호	상세설명	제조업체	PDF
MTD-160	PHASE CONTROL THYRISTOR JOINT-STOCK COMPANY ELECTROVIPRYAMITEL P H A S E C O N T R O L T H Y R I S T O R - D I O D E www.elvpr.ru M O D U L E S MTT-160, MTTC-160, MTTA-160 MTD-160, MTDC-160, MTDA-160 MDT-160, MDTC-160, MDTA-160 VDRM, VRRM = 400 - 1600 V IT(AV) = 160 A (TC = 85 °C) ITSM = 5 kA (TVj = 125 °C) He	ELECTROVIPRYAMITEL
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
MTD010P03V8	P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET CYStech Electronics Corp. P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET MTD010P03V8 Spec. No. : C391V8 Issued Date : 2016.11.24 Revised Date : Page No. : 1, 10 Features Simple drive requirement Low on-resistance Fast switching speed Pb-free lead plating package BVDSS ID@ TC=25°C, VGS=-10V ID@ TA=2	Cystech Electonics
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
MTD011N10RH8	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET CYStech Electronics Corp. Spec. No. : C169H8 Issued Date : 2015.11.23 Revised Date : 2016.04.27 Page No. : 1, 10 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET MTD011N10RH8 Features BVDSS ID@VGS=10V, TC=25°C ID@VGS=10V, TA=25°C VGS=10V, ID=11.5A RDSON(TYP) VGS=4.5V, ID=9.5A 100V 45A 13.8A 9.2mΩ 12.	Cystech Electonics

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