N04L1630C2B 데이터시트 PDF ( Data sheet )

이 부품은 4Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAMs 256K x 16 bit POWER SAVER TECHNOLOGY의 기능을 가지고 있습니다.

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번호	부품번호	상세설명 및 전자부품 기능	제조사
1	N04L1630C2B AMI SEMICONDUCTOR	4Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAMs 256K x 16 bit POWER SAVER TECHNOLOGY AMI Semiconductor, Inc. ULP Memory Solutions 670 North McCarthy Blvd. Suite 220 Milpitas, CA 95035 PH: 408-935-7777, FAX: 408-935-7770 N04L1630C2B Advance Information 4Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAMs 256K × 16 bit POWER SAVER TECHNOLOGY TM Overview The N04L1630C2B is an integrated mem
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부품번호	상세설명	제조업체	PDF
N0412N	N-CHANNEL MOSFET N0412N N-CHANNEL MOSFET FOR SWITCHING Preliminary Data Sheet R07DS0554EJ0100 Rev.1.00 Nov 07, 2011 Description The N0412N is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features Low on-state resistance RDS (on) = 3.7 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 50 A) Lo	Renesas
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
N0413N	N-CHANNEL MOSFET FOR SWITCHING N0413N N-CHANNEL MOSFET FOR SWITCHING Preliminary Data Sheet R07DS0555EJ0100 Rev.1.00 Nov 07, 2011 Description The N0413N is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features Low on-state resistance RDS (on) = 3.3 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 50 A) Lo	Renesas
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
N0416SC020	Phase Control Thyristor Stud Phase Control Thyristor Stud Types N0416S#020 to N0416S#080 The data sheet on the subsequent pages of this document is a scanned copy of existing data for this product. (Rating Report 93NR1 Issue 1) This data reflects the old part number for this product which is: N275PH02-08. This part number must	IXYS

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