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N0676YS120 데이터시트 PDF ( Data sheet )이 부품은 Phase Control Thyristor의 기능을 가지고 있습니다. |
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| 번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 |
| 1 | N0676YS120 WESTCODE | Phase Control Thyristor WESTCODE
Date:- 6 Feb, 2001 Data Sheet Issue: 1
Phase Control Thyristor Types N0676YS120 to N0676YS180
Absolute Maximum Ratings
VDRM VDSM VRRM VRSM
VOLTAGE RATINGS
Repetitive peak off-state voltage, (note 1) Non-repetitive peak off-state voltage, (note 1) Repetitive peak reverse voltage, (note |  |
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국내 전자부품 판매점 |
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관련 검색 목록
| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| N0600N | MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Preliminary Data Sheet
N0600N
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
Description
R07DS0220EJ0100 Rev.1.00 Jan 25, 2011
The N0600N is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.
Features
Low on-state resistance RDS(on)1 = 25 mΩ MAX. (VGS =10 V, ID = 15 A) RDS |
 Renesas |
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| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| N0601N | N-CHANNEL MOSFET Preliminary Data Sheet
N0601N
N-CHANNEL MOSFET FOR SWITCHING
Description
R07DS0557EJ0100 Rev.1.00 Nov 07, 2011
The N0601N is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.
Features
Low on-state resistance RDS (on) = 4.2 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 50 A) |
Renesas |
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| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| N0602N | N-CHANNEL MOSFET Preliminary Data Sheet
N0602N
N-CHANNEL MOSFET FOR SWITCHING
Description
R07DS0558EJ0100 Rev.1.00 Nov 07, 2011
The N0602N is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.
Features
Low on-state resistance RDS (on) = 4.6 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 50 A) |
Renesas |
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