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NE46100 데이터시트 PDF ( Data sheet )이 부품은 NECs NPN MEDIUM POWER MICROWAVE TRANSISTOR의 기능을 가지고 있습니다. |
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번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 |
1 | NE46100 NEC | NECs NPN MEDIUM POWER MICROWAVE TRANSISTOR NEC's NPN MEDIUM POWER MICROWAVE TRANSISTOR
FEATURES
HIGH DYNAMIC RANGE LOW IM DISTORTION: -40 dBc
Output Power, POUT (dBm)
30.0 28.0
NE46100 NE46134
NE46134 TYPICAL OUTPUT POWER vs. INPUT POWER f = 1.0 GHz, IC = 100 mA
12.5 V 10 V 26.0 24.0 22.0 20.0 18.0 16.0 14.0 12.0 5 10 15 20 25 5V
HIGH | ![]() |
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국내 전자부품 판매점 |
디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ |
부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
NE41137 | N-Channel GaAs Dual Gate MES FET |
![]() California Eastern Laboratories |
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부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
NE416 | NPN MEDIUM POWER UHF-VHF TRANSISTOR |
![]() NEC |
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부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
NE4210M01 | C to Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET PRELIMINARY DATA SHEET
HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR
NE4210M01
C to Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET
DESCRIPTION
The NE4210M01 is a Hetero Junction FET that utilizes the hetero junction to create high mobility electrons. Its excellent low noise and high associated gain |
![]() NEC |
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