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NGTB15N60S1EG 데이터시트 PDF ( Data sheet )이 부품은 IGBT의 기능을 가지고 있습니다. |
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| 번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 |
| 1 | NGTB15N60S1EG 온세미컨덕터 반도체 | IGBT NGTB15N60S1EG IGBT - Short-Circuit Rated
This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features a robust and cost effective Non Punch Through (NPT) Trench construction, and provides superior performance in demanding switching applications. Offering both low on state voltage and minimal switching los |  |
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국내 전자부품 판매점 |
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관련 검색 목록
| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| NGTB05N60R2DT4G | IGBT NGTB05N60R2DT4G
IGBT 600V, 8A, N-Channel
www.onsemi.com
Features
Reverse Conducting II IGBT IGBT VCE(sat)=1.65V (typ) [IC=5A, VGE=15V] IGBT tf=95ns (typ) Diode VF=1.5V (typ) [IF=5A] Diode trr=70ns (typ) 5 s Short Circuit Capability
Applications
General Purpose Inverter
Electrical Connec |
ON Semiconductor |
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| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| NGTB10N60FG | N-Channel IGBT Ordering number : ENA2283A
NGTB10N60FG
N-Channel IGBT
600V, 10A, VCE(sat);1.5V, TO-220F-3FS
http:, , onsemi.com
Features
IGBT VCE (sat)=1.5V typ. (IC=10A, VGE=15V) IGBT IC=20A (Tc=25°C) Adaption of full isolation type package
5μs short circuit capability
Diode VF=1.3V typ.(IF=10A) Diode |
ON Semiconductor |
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| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| NGTB10N60R2DT4G | IGBT NGTB10N60R2DT4G
IGBT 600V, 10A, N-Channel
www.onsemi.com
Features
Reverse Conducting II IGBT IGBT VCE(sat)=1.7V (typ) [IC=10A, VGE=15V] IGBT tf=65ns (typ) Diode VF=1.5V (typ) [IF=10A] Diode trr=90ns (typ) 5 s Short Circuit Capability
Applications
General Purpose Inverter
Electrical Conn |
ON Semiconductor |
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